Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.

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Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)

SSM6K804R,LF
Toshiba
1: S/4.24
9,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K804R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K804RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)

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9,240En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6K818R,LF
Toshiba
1: S/4.24
11,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K818R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K818RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F

SSM6L807R,LF
Toshiba
1: S/3.11
11,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L807R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L807RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.92

S/1.25

S/0.95

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
587,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.67

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

SSM6J808R,LF
Toshiba
1: S/3.58
26,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

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26,948En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.22

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.837

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6K824R,LF
Toshiba
1: S/2.49
11,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K824R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K824RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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S/2.49

S/1.53

S/0.977

S/0.74

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

SSM6J825R,LF
Toshiba
1: S/2.18
11,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J825R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J825RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)

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Cinta cortada

S/2.18

S/1.36

S/0.868

S/0.654

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F

SSM6K819R,LF
Toshiba
1: S/4.09
1,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F

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S/4.09

S/2.56

S/1.67

S/1.29

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Mult.: 1

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

SSM6P816R,LF
Toshiba
1: S/3.04
2,955En existencias
9,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P816R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P816RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

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9,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/3.04

S/1.87

S/1.21

S/0.946

Envase tipo carrete

S/0.728

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
21,157En existencias
93,000Se espera el 8/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K361NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K361NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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21,157En existencias

93,000Se espera el 8/05/2026

Cinta cortada

S/2.72

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.631

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: S/1.32
109,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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109,926En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

SSM6N815R,LF
Toshiba
1: S/2.72
56,963En existencias
30,000Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N815R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N815RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

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56,963En existencias

30,000Se espera el 24/04/2026

Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.596

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

84 mOhms, 84 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: S/2.49
2,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

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2,774En existencias

Cinta cortada

S/2.49

S/1.53

S/0.981

S/0.743

Envase tipo carrete

S/0.483

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.79
6,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

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Cinta cortada

S/1.79

S/1.10

S/0.697

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM6J801R,LF
Toshiba
1: S/2.53
12,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J801R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J801RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

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12,896En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.77

S/1.12

S/0.689

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

32.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: S/2.57
1,106En existencias
12,000Se espera el 22/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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1,106En existencias

12,000Se espera el 22/05/2026

Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.564

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFU,LF
Toshiba
1: S/1.71
2,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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2,340En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms, 750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

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