Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs are high-performance switching and rectifier devices designed for use in a wide range of power and signal applications. The AEC-Q101-qualified ROHM RD3x components feature low forward voltage, fast recovery time, and high surge current capability, making the MOSFETs ideal for efficient power conversion and protection in compact electronic systems. With options tailored for automotive, industrial, and consumer electronics, the RD3 family supports applications such as DC-DC converters, motor drivers, LED lighting, and battery-powered devices. A compact surface-mount (TO-252-3) package and low leakage current contribute to space-saving and energy-efficient designs, while high reliability ensures stable performance under demanding conditions.

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Resultados: 20

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P200SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3P200SNFRATL

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755-RD3P200SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/7.01

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1 Channel

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20 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

RD3S100AAFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/14.87
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RD3S100AAFRATL

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755-RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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S/14.87

S/9.26

S/6.89

S/5.80

S/5.37

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S/5.37

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

190 V

10 A

182 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

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85 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET

RD3U080AAFRATL
ROHM Semiconductor
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4,529En existencias

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RD3U080AAFRATL

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755-RD3U080AAFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET

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S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/3.70

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+ 150 C

85 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P050SNFRATL
ROHM Semiconductor
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3,254En existencias

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RD3P050SNFRATL

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755-RD3P050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/2.76

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MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P100SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/9.03
2,574En existencias

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RD3P100SNFRATL

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755-RD3P100SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252

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10 A

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20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L150SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3L150SNFRATL

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755-RD3L150SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/5.61

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MouseReel Disponible

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60 V

15 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.95
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RD3G08BBLHRBTL

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755-RD3G08BBLHRBTL

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S/6.85

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+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3G08DBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.95
2,249En existencias
Nuevo producto

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RD3G08DBLHRBTL

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755-RD3G08DBLHRBTL

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S/8.95

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S/2.60

MouseReel Disponible

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80 A

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4 V

28 nC

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+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/15.03
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RD3L08BBKHRBTL

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755-RD3L08BBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

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S/15.03

S/9.77

S/6.89

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S/5.25

MouseReel Disponible

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80 A

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20 V

2.5 V

62 nC

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+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/15.03
1,750En existencias
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RD3L08BBLHRBTL

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755-RD3L08BBLHRBTL

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ROHM Semiconductor

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S/9.77

S/6.89

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S/5.25

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P06BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.07
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Nuevo producto

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RD3P06BBLHRBTL

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755-RD3P06BBLHRBTL

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ROHM Semiconductor

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S/9.07

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S/3.97

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S/2.64

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- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

RD3G08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.25
2,500En existencias
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RD3G08DBKHRBTL

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755-RD3G08DBKHRBTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

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S/11.25

S/7.28

S/5.02

S/4.05

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S/3.66

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.1 mOhms

20 V

2.5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.61
2,478En existencias
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RD3L08DBKHRBTL

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755-RD3L08DBKHRBTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

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S/6.19

S/4.24

S/3.37

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S/2.87

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

7.5 mOhms

20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3H200SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/9.61
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RD3H200SNFRATL

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755-RD3H200SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/6.19

S/4.24

S/3.37

S/3.09

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S/2.89

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

45 V

20 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

RD3L050SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/5.49
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L050SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

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S/5.49

S/3.64

S/3.02

S/2.91

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.71

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

5 A

109 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252

RD3P175SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/9.85
5En existencias
5,000Se espera el 28/09/2026

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RD3P175SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P175SNFRATL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252

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S/5.57

S/4.05

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S/3.05

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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

17.5 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L080SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/8.76
7,729En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RD3L080SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L080SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/8.76

S/5.57

S/3.75

S/2.93

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/10.78
2,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3L08CBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08CBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

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S/10.78

S/6.93

S/4.79

S/3.83

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5.3 mOhms

20 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L220SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/11.76
2,500Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3L220SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L220SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252

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2,500Se espera el 12/10/2026

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S/5.06

S/4.28

S/4.05

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S/3.82

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

22 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

RD3G06BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
2,500: S/2.42
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
RD3G06BBJHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G06BBJHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.42

S/2.41

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

68 A

13.1 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

Reel

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

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