Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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RD3S100AAFRATL
ROHM Semiconductor
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755-RD3S100AAFRATL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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S/14.79

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L220SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3L220SNFRATL

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755-RD3L220SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P200SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3P200SNFRATL

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755-RD3P200SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L150SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/9.23
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RD3L150SNFRATL

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755-RD3L150SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252

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60 V

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- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/13.97
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Nuevo producto

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RD3G08BBLHRBTL

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755-RD3G08BBLHRBTL

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3G08DBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.37
2,250En existencias
Nuevo producto

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RD3G08DBLHRBTL

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755-RD3G08DBLHRBTL

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ROHM Semiconductor

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76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P06BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.49
2,241En existencias
Nuevo producto

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RD3P06BBLHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P06BBLHRBTL

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ROHM Semiconductor

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S/3.68

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S/2.63

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

RD3G08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.25
2,500En existencias
Nuevo producto

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RD3G08DBKHRBTL

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755-RD3G08DBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

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S/4.94

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S/3.54

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1 Channel

40 V

80 A

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20 V

2.5 V

28 nC

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+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.99
2,488En existencias
Nuevo producto

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RD3L08DBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08DBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

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S/8.99

S/5.80

S/3.97

S/3.15

S/2.97

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S/2.85

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TO-252-3

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1 Channel

60 V

80 A

7.5 mOhms

20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3H200SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/8.02
674En existencias

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RD3H200SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3H200SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/8.02

S/5.41

S/3.97

S/3.14

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S/2.61

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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

45 V

20 A

28 mOhms

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20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

RD3L050SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/6.42
1,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L050SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L050SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

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S/6.42

S/4.24

S/3.52

S/3.37

S/2.81

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S/2.68

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

5 A

109 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L080SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: S/8.52
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L080SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L080SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

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S/8.52

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S/3.68

S/2.93

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S/2.42

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.01
2,500Se espera el 21/05/2026
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RD3L08BBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08BBKHRBTL

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ROHM Semiconductor

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2,500Se espera el 21/05/2026

Cinta cortada

S/14.01

S/9.19

S/6.42

S/5.61

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S/5.25

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

20 V

2.5 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.01
2,500Se espera el 21/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3L08BBLHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08BBLHRBTL

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S/14.01

S/9.19

S/6.42

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/10.08
2,500Se espera el 21/05/2026
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N.º de artículo del Fabricante
RD3L08CBKHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L08CBKHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

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2,500Se espera el 21/05/2026

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S/10.08

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S/4.48

S/3.58

S/3.57

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S/3.33

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5.3 mOhms

20 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

RD3G06BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
2,500: S/2.42
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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RD3G06BBJHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G06BBJHRBTL

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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S/2.42

S/2.41

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Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

68 A

13.1 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

Reel

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