Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1:
S/38.38
3,837 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3,837 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/38.38
10
S/29.12
100
S/24.25
500
S/21.60
1,000
S/19.23
2,000
Ver
2,000
S/19.19
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.79
2,614 En existencias
3,000 Se espera el 26/02/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,614 En existencias
3,000 Se espera el 26/02/2026
Embalaje alternativo
1
S/14.79
10
S/9.65
100
S/7.55
500
S/6.34
1,000
S/5.37
2,000
S/5.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
34 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.81
4,595 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,595 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.81
10
S/17.24
100
S/13.94
500
S/12.46
1,000
S/10.59
2,000
S/10.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/19.97
2,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
2,219 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/19.97
10
S/13.27
100
S/10.94
500
S/9.26
1,000
S/8.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Perú