Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
IPB107N20NAXT
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
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300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
34 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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88 A
9.9 mOhms
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2 V
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OptiMOS
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