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INA750BIREMR

Name: Texas Instruments INA750BIREMR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-INA750BIREMR
Price: 11.29 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-INA750BIREMR

Fabricante N.º:

INA750BIREMR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Amplificadores de detección de corriente 110V 35A integrated -shunt high-precisio

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/11.29	S/11.29
	S/8.45	S/84.50
	S/7.71	S/192.75
	S/6.93	S/693.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/6.93	S/34,650.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Amplificadores de detección de corriente
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Serie:	INA750B
Número de canales:	1 Channel
Vcm - Tensión de modo común:	- 4 V to 110 V
CMRR - Proporción de rechazo de modo común:	130 dB
Ib - Polarización de entrada de tensión:	90 uA
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Corriente de suministro operativa:	35 A
Error en ganancia:	0.1 %
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-14
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Ancho de banda de 3 dB:	1 MHz
Tipo de amplificador:	Current Sense Amplifier
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Kit de desarrollo:	INA75XXEVM
Ios - Tensión offset de entrada:	125 mA
Tipo de salida:	Analog
Producto:	Bidirectional, Ultra-Precise, Current Sense Amplifier
Tipo de producto:	Current Sense Amplifiers
PSRR - Proporción de rechazo de suministro de energía:	12.5 mA/V
Apagado:	No Shutdown
VP - Velocidad de precesión:	1.8 V/us
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Amplifier ICs
Tecnología:	Si

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

INA750x Current-Sense Amplifier

Texas Instruments INA750x Current-Sense Amplifier is a voltage-output current sense amplifier with an integrated shunt resistor of 800µΩ. It is designed to monitor bidirectional current over a common-mode range of -4V to +110V, independent of the supply voltage. The adjustable gain option assists in optimizing the system's dynamic range. Integrating the Kelvin-connected shunt resistor with a zero-drift chopped amplifier provides calibration equivalent measurement accuracy, ultra-low temperature drift performance of ±35ppm/°C, and an optimized layout for the sensing resistor.