Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.79
4,102 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
4,102 En existencias
1
S/20.79
10
S/13.86
100
S/9.93
500
S/9.54
2,000
S/8.06
4,000
Ver
1,000
S/9.30
4,000
S/7.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.70
4,082 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
4,082 En existencias
1
S/16.70
10
S/11.64
100
S/10.00
500
S/9.69
1,000
Ver
5,000
S/8.37
1,000
S/9.42
2,500
S/9.38
5,000
S/8.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
150 V
148 A
6.32 Ohms
- 10 V, 10 V
3 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.66
2,676 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,676 En existencias
1
S/19.66
10
S/13.08
100
S/9.34
500
S/8.87
2,000
S/7.71
4,000
Ver
1,000
S/8.64
4,000
S/7.20
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
143 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.93
3,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,670 En existencias
1
S/22.93
10
S/15.38
100
S/11.09
500
S/10.90
1,000
Ver
2,000
S/8.87
1,000
S/10.35
2,000
S/8.87
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
150 V
190 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.53
1,781 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,781 En existencias
1
S/18.53
10
S/12.30
100
S/8.76
500
S/8.64
1,000
S/8.37
2,000
S/6.66
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
122 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/13.82
891 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
891 En existencias
1
S/13.82
10
S/7.01
100
S/6.34
500
S/5.14
1,000
Ver
1,000
S/4.67
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
112 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Perú