Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.00
3,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,872 En existencias
1
S/23.00
10
S/15.06
100
S/11.09
500
S/9.89
1,000
S/8.80
2,000
S/8.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.46
1,681 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,681 En existencias
1
S/22.46
10
S/14.13
100
S/10.28
500
S/8.84
1,000
S/8.17
2,000
S/7.71
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
122 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.84
2,775 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,775 En existencias
1
S/28.84
10
S/19.15
100
S/13.97
500
S/12.07
2,000
S/10.39
4,000
Ver
1,000
S/11.13
4,000
S/9.81
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
150 V
190 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.12
2,640 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,640 En existencias
1
S/26.12
10
S/17.28
100
S/12.69
500
S/10.63
2,000
S/9.30
4,000
Ver
1,000
S/10.00
4,000
S/8.60
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
143 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/15.49
628 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
628 En existencias
1
S/15.49
10
S/10.55
100
S/8.49
500
S/7.08
1,000
Ver
1,000
S/6.07
2,500
S/5.88
5,000
S/5.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
112 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.84
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
S/21.84
10
S/14.95
100
S/12.14
500
S/10.86
1,000
Ver
5,000
S/9.42
1,000
S/10.00
2,500
S/9.69
5,000
S/9.42
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
150 V
148 A
6.32 Ohms
- 10 V, 10 V
3 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Perú