Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.88
3,872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,872 En existencias
1
S/21.88
10
S/14.60
100
S/10.43
500
S/9.34
1,000
S/8.72
2,000
S/8.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.01
4,082 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
4,082 En existencias
1
S/17.01
10
S/11.87
100
S/10.28
1,000
S/9.93
5,000
S/9.61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
150 V
148 A
6.32 Ohms
- 10 V, 10 V
3 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.06
2,650 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,650 En existencias
1
S/21.06
10
S/14.01
100
S/10.00
500
S/8.87
2,000
S/8.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
143 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.26
3,295 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,295 En existencias
1
S/25.26
10
S/16.93
100
S/12.18
500
S/10.90
1,000
S/10.20
2,000
S/10.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
150 V
190 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.85
1,681 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,681 En existencias
1
S/19.85
10
S/13.16
100
S/10.55
500
S/8.84
1,000
S/8.37
2,000
S/7.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
122 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/14.99
643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
643 En existencias
1
S/14.99
10
S/7.71
100
S/7.01
500
S/5.68
1,000
S/5.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
112 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4.6 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Perú