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DMN1057UCA3-7

Name: Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN1057UCA3-7
Price: 1.83 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN1057UCA3-7

Fabricante N.º:

DMN1057UCA3-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.83	S/1.83
	S/1.35	S/13.50
	S/0.767	S/76.70
	S/0.518	S/259.00
	S/0.393	S/393.00
	S/0.35	S/875.00
	S/0.304	S/1,520.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	S/0.276	S/2,760.00
	S/0.249	S/4,980.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	X4-DSN0607-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	102 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	1.47 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.81 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.6 ns

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) and is ideal for high-efficiency power management applications. This MOSFET features low gate charge and low gate-to-drain charge for a fast switching performance. The DMN1057UCA3 MOSFET features a compact and ultra-low-profile design with a height of just 0.26mm, making it ideal for space-constrained applications. This MOSFET offers power dissipation of up to 1.81W and thermal resistance of up to 198.6°C/W. The DMN1057UCA3 N-channel MOSFET is used in battery management, load switches, and battery protection applications.