Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ
ZXMS6005DT8TA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ
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S/11.29
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S/5.06
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
ZXMS6006DT8TA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
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S/14.64
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S/9.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET
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ZXMS6005N8-13
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S/2.62
500
S/2.06
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S/1.77
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S/1.67
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 60V self-protected low-side MOSFET SW
BSP75GTA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 60V self-protected low-side MOSFET SW
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S/5.92
10
S/4.28
25
S/3.87
100
S/3.30
1,000
S/2.62
2,000
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S/3.20
500
S/2.80
2,000
S/2.40
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
BSP75NTA
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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
26,805 En existencias
39,000 Se espera el 9/09/2026
1
S/6.03
10
S/3.81
100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected
ZXMS6004FFTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected
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S/3.46
100
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S/1.75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
11,567 En existencias
17,000 Se espera el 31/08/2026
1
S/8.87
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S/5.64
100
S/3.80
500
S/3.08
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S/2.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
ZXMS6004FFQTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
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S/5.33
10
S/3.37
100
S/2.23
500
S/1.74
1,000
S/1.59
3,000
S/1.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh
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ZXMS6005SGTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh
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S/7.90
10
S/5.06
100
S/3.39
500
S/2.69
1,000
S/2.46
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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ZXMS6004N8-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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1
S/4.90
10
S/2.84
100
S/1.86
500
S/1.44
2,500
S/1.12
5,000
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S/1.30
5,000
S/1.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
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ZXMS6004DGTA
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420 En existencias
4,950 Se espera el 28/05/2026
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522-ZXMS6004DGTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
420 En existencias
4,950 Se espera el 28/05/2026
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S/6.46
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S/4.05
100
S/2.67
500
S/2.10
1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ
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ZXMS6004SGTA
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345 En existencias
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522-ZXMS6004SGTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ
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6,000 Se espera el 1/06/2026
9,000 Se espera el 2/06/2026
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1
S/3.43
10
S/2.21
100
S/1.81
500
S/1.74
1,000
S/1.70
2,000
Ver
2,000
S/1.59
5,000
S/1.55
10,000
S/1.53
25,000
S/1.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
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Diodes Incorporated
1:
S/7.24
190 En existencias
3,000 Se espera el 2/06/2026
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMS6005DGTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
190 En existencias
3,000 Se espera el 2/06/2026
1
S/7.24
10
S/4.75
100
S/3.20
500
S/2.60
1,000
S/2.37
2,000
S/2.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
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ZXMS6006SGTA
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1:
S/7.67
323 En existencias
12,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMS6006SGTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
323 En existencias
12,000 En pedido
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323 Se puede enviar inmediatamente
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7,000 Se espera el 3/06/2026
5,000 Se espera el 4/09/2026
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1
S/7.67
10
S/4.87
100
S/3.23
500
S/2.57
1,000
S/2.32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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ZXMS6004DN8-13
Diodes Incorporated
1:
S/6.54
187,530 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6004DN8-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
187,530 En pedido
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55,030 Se espera el 3/07/2026
70,000 Se espera el 29/07/2026
62,500 Se espera el 4/09/2026
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1
S/6.54
10
S/4.16
100
S/2.75
500
S/2.17
2,500
S/1.70
5,000
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1,000
S/1.96
5,000
S/1.59
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ
ZXMS6004DT8TA
Diodes Incorporated
1:
S/7.32
3,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMS6004DT8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ
3,000 En pedido
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En pedido:
1,000 Se espera el 3/08/2026
2,000 Se espera el 31/08/2026
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12 Semanas
1
S/7.32
10
S/4.67
100
S/3.11
500
S/2.48
1,000
S/2.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K
ZXMS6004SG-13
Diodes Incorporated
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S/2.72
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N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6004SG-13
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K
8,148 En pedido
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En pedido:
648 Se espera el 3/07/2026
7,500 Se espera el 4/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/2.72
10
S/1.67
100
S/1.07
500
S/0.833
1,000
S/0.732
2,500
S/0.553
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005N8Q-13
Diodes Incorporated
2,500:
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N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005N8Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Mult.: 2,500
Carrete :
2,500