Semiconductores – Mouser Perú

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IntelliFET Self-Protected MOSFETs

Diodes Inc. IntelliFET Self-Protected MOSFETs integrate a power MOSFET with a complete array of protection circuits. These protections guard against ESD, over-current, over-voltage and over-temperature conditions. Intelligent MOSFETs sense potentially catastrophic conditions and protects themselves and the connected loads. These protection functions improve overall system reliability. Additional features like status flags provide diagnostic capabilities that aid isolation and rectification faults within a vehicle.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected

ZXMS6004FFTA
Diodes Incorporated
1: S/3.54
122,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6004FFTA

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522-ZXMS6004FFTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected

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S/1.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ

ZXMS6005DT8TA
Diodes Incorporated
1: S/12.42
4,203En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005DT8TA

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522-ZXMS6005DT8TA

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S/3.93

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 60V self-protected low-side MOSFET SW

BSP75GTA
Diodes Incorporated
1: S/5.14
21,161En existencias
15,000Se espera el 2/10/2026

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BSP75GTA

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522-BSP75GTA

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S/2.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ

ZXMS6004SGTA
Diodes Incorporated
1: S/3.93
12,597En existencias

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ZXMS6004SGTA

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522-ZXMS6004SGTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ

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S/2.23

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S/1.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ

ZXMS6006SGTA
Diodes Incorporated
1: S/5.57
4,868En existencias
14,000En pedido

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ZXMS6006SGTA

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522-ZXMS6006SGTA

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S/5.57

S/3.43

S/2.89

S/2.29

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S/2.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ

ZXMS6004FFQTA
Diodes Incorporated
1: S/5.29
7,490En existencias
78,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6004FFQTA

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621-ZXMS6004FFQTA

Diodes Incorporated

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S/5.29

S/3.24

S/2.36

S/1.97

S/1.88

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S/1.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

ZXMS6005SGTA
Diodes Incorporated
1: S/5.10
5,164En existencias

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ZXMS6005SGTA

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621-ZXMS6005SGTA

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S/5.10

S/3.13

S/2.95

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S/2.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ

ZXMS6006DT8TA
Diodes Incorporated
1: S/10.82
3,050En existencias
2,000Se espera el 4/11/2026
Fin de vida útil

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ZXMS6006DT8TA

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522-ZXMS6006DT8TA

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S/6.93

S/6.62

S/5.88

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S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN

ZXMS6004DGTA
Diodes Incorporated
1: S/6.46
2,092En existencias

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ZXMS6004DGTA

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522-ZXMS6004DGTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN

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S/6.46

S/4.01

S/2.63

S/2.07

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S/1.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ

ZXMS6005DGTA
Diodes Incorporated
1: S/6.50
1,448En existencias
7,000Se espera el 10/09/2026

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ZXMS6005DGTA

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522-ZXMS6005DGTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ

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S/6.50

S/4.13

S/3.09

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet

ZXMS6006DGTA
Diodes Incorporated
1: S/6.85
228En existencias
34,000En pedido

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ZXMS6006DGTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMS6006DGTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet

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S/6.85

S/4.20

S/3.80

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S/2.88

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Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET

ZXMS6005N8-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
229En existencias
40,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005N8-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005N8-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET

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40,000En pedido

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S/5.96

S/3.64

S/2.69

S/2.32

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.72

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ

ZXMS6004DT8TA
Diodes Incorporated
1: S/8.99
366En existencias
2,000Se espera el 11/09/2026
Fin de vida útil

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ZXMS6004DT8TA

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522-ZXMS6004DT8TA

Fin de vida útil

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ

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S/8.99

S/4.52

S/3.84

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw

BSP75NTA
Diodes Incorporated
1: S/4.01
112,726Se espera el 4/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP75NTA

N.º de artículo de Mouser
522-BSP75NTA

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw

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S/4.01

S/2.83

S/2.46

S/2.23

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Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ

ZXMS6004DN8-13
Diodes Incorporated
1: S/7.75
176,325En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6004DN8-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6004DN8-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.09

S/2.62

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ

ZXMS6004N8-13
Diodes Incorporated
1: S/2.76
52,547En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6004N8-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6004N8-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ

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S/2.76

S/1.62

S/1.52

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K

ZXMS6004SG-13
Diodes Incorporated
1: S/3.43
8,148Se espera el 4/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6004SG-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6004SG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K

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8,148Se espera el 4/11/2026

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S/3.43

S/2.27

S/1.55

S/1.09

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.634

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

ZXMS6005N8Q-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.54
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005N8Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005N8Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.54

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

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