Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4-C2B
CEL
1:
S/7.79
3,637 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CA3509M4-C2B
CEL
Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
3,637 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.79
10
S/6.73
25
S/6.34
100
S/5.84
250
Ver
5,000
S/3.82
250
S/5.53
500
S/5.18
1,000
S/4.36
2,500
S/4.09
5,000
S/3.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
CEL
1:
S/6.62
9,727 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE3512K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
9,727 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.62
10
S/4.44
100
S/3.70
500
S/3.57
2,500
Ver
10,000
S/3.34
2,500
S/3.51
5,000
S/3.44
10,000
S/3.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :10,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
CEL
1:
S/6.03
2,729 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE7613M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
2,729 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.03
10
S/3.97
100
S/3.34
1,000
S/3.16
2,500
S/3.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
CEL
1:
S/7.47
12,312 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE7613M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
12,312 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.47
10
S/4.79
100
S/3.30
500
S/2.80
1,000
Ver
15,000
S/2.23
1,000
S/2.34
2,500
S/2.23
15,000
S/2.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2
CEL
1:
S/8.56
843 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE3512K2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
843 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.56
10
S/5.76
100
S/4.71
500
S/4.63
1,000
S/4.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
CEL
1:
S/11.48
248 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE3514M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
248 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.48
10
S/7.32
100
S/4.75
500
S/3.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
CEL
1:
S/9.03
330 En existencias
10,000 Se espera el 29/05/2026
N.º de artículo de Mouser 551-CE3520K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
330 En existencias
10,000 Se espera el 29/05/2026
Embalaje alternativo
1
S/9.03
10
S/6.15
100
S/5.18
500
S/5.10
1,000
Ver
10,000
S/4.75
1,000
S/5.06
2,500
S/4.90
10,000
S/4.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :10,000
Detalles
Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4
CEL
1:
S/9.81
49 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CA3509M4
CEL
Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
49 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.81
10
S/8.45
25
S/7.98
100
S/7.05
250
Ver
250
S/6.77
500
S/5.61
1,000
S/5.06
2,500
S/4.90
5,000
S/4.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
CEL
1:
S/5.02
14,950 Se espera el 6/07/2026
N.º de artículo de Mouser 551-CE3514M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
14,950 Se espera el 6/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/5.02
10
S/3.32
100
S/2.76
500
S/2.65
1,000
Ver
15,000
S/2.50
1,000
S/2.56
2,500
S/2.50
15,000
S/2.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
CEL
1:
S/13.82
Plazo de entrega 2 Semanas
N.º de artículo de Mouser 551-CE3521M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Plazo de entrega 2 Semanas
Embalaje alternativo
1
S/13.82
10
S/8.99
100
S/5.41
500
S/5.37
1,000
Ver
1,000
S/5.14
2,500
S/5.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
CEL
15,000:
S/3.89
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE3521M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
No en existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 15,000 Mult.: 15,000
Carrete :15,000
Detalles
Perú
