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RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 5.14 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ3L060BGTB1

Fabricante N.º:

RQ3L060BGTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Hoja de datos:

RQ3L060BGTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/5.14	S/5.14
	S/3.34	S/33.40
	S/2.28	S/228.00
	S/1.95	S/975.00
	S/1.77	S/1,770.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.59	S/4,770.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	38 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	5.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET de potencia RQ3L060BG

El MOSFET de potencia RQ3L060BG de ROHM Semiconductor cuenta con voltaje de fuente de drenaje (V_DSS) de 60 V y corriente de drenaje continua ±15.5 A. Este MOSFET de canal N ofrece un bajo nivel de resistencia en conducción (R_{DS (on)}) de 38 mΩ y disipación de potencia de 14 W. El MOSFET RQ3L060BG funciona dentro del rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa de -55°C a 150°C, y está disponible en un paquete sin halógenos, de alta potencia y molde pequeño (HSMT8). Este dispositivo, conforme a RoHS, incorpora un chapado libre de plomo. Las aplicaciones típicas incluyen conmutación, controladores de motores y convertidores CC/CC.