Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Infineon Technologies
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SMD/SMT

TTFN-9

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1 Channel

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2.05 mOhms

20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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S/11.37

S/5.64

S/5.06

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S/3.15

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: 6,000

SMD/SMT

WTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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125,089En existencias
95,000Se espera el 25/02/2027

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S/3.80

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S/1.98

S/1.94

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S/1.94

MouseReel Disponible

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC010N04LS6ATMA1
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S/5.57

S/4.20

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S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

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100 A

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150 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC059N04LS6ATMA1
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S/4.48

S/3.01

S/1.97

S/1.37

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-FL-8

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59 A

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+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
2,346En existencias
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BSZ018N04LS6ATMA1

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726-BSZ018N04LS6ATMA

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S/3.17

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S/2.95

MouseReel Disponible

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: 5,000

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40 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.44
7,963En existencias

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BSZ021N04LS6ATMA1

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726-BSZ021N04LS6ATMA

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S/3.13

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S/2.67

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

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31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
39,863En pedido

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BSC007N04LS6ATMA1

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726-BSC007N04LS6ATMA

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S/14.36

S/8.56

S/6.11

S/5.33

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Envase tipo carrete

S/4.28

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
168,217En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

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168,217En pedido

Cinta cortada

S/4.83

S/2.78

S/2.24

S/1.92

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S/1.15

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Mult.: 1

: 5,000

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TSDSON-FL-8

N-Channel

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40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ024N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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S/7.59

S/4.28

S/3.37

S/2.85

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S/2.14

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Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

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