Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
10,250 En existencias
1
S/5.22
10
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S/2.71
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S/2.71
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BSZ018N04LS6ATMA1
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1
S/5.80
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S/2.99
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S/17.75
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20,000 Se espera el 2/07/2026
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S/5.88
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BSZ024N04LS6ATMA1
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8,829 En existencias
5,000 Se espera el 15/10/2026
1
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S/2.41
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BSC010N04LS6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
1,016 En existencias
10,000 Se espera el 20/04/2026
1
S/10.94
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S/3.27
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Si
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BSC022N04LS6ATMA1
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S/8.41
245 En existencias
140,000 Se espera el 2/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
245 En existencias
140,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/8.41
10
S/5.37
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Carrete :5,000
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SMD/SMT
TDSON-FL-8
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1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
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S/3.15
378 En existencias
180,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
378 En existencias
180,000 En pedido
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378 Se puede enviar inmediatamente
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40,000 Se espera el 17/09/2026
50,000 Se espera el 28/01/2027
90,000 Se espera el 11/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/3.15
10
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100
S/2.16
1,000
S/2.04
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S/1.97
5,000
S/1.72
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Carrete :5,000
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Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
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9.5 nC
- 55 C
+ 175 C
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