Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.80
36,307 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
36,307 En existencias
1
S/5.80
10
S/4.75
100
S/4.13
500
S/3.44
1,000
Ver
5,000
S/2.79
1,000
S/3.03
2,500
S/2.81
5,000
S/2.79
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.22
10,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
10,335 En existencias
1
S/5.22
10
S/4.24
100
S/3.67
500
S/3.36
1,000
Ver
5,000
S/2.45
1,000
S/2.81
2,500
S/2.59
5,000
S/2.45
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.58
63,885 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
63,885 En existencias
1
S/13.58
10
S/8.99
100
S/6.46
500
S/5.64
1,000
Ver
5,000
S/4.59
1,000
S/5.61
2,500
S/5.57
5,000
S/4.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
381 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.84
88,483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
88,483 En existencias
1
S/2.84
10
S/2.30
100
S/1.99
500
S/1.85
5,000
S/1.70
10,000
Ver
1,000
S/1.70
10,000
S/1.60
25,000
S/1.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.93
4,322 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
4,322 En existencias
1
S/9.93
10
S/6.42
100
S/4.40
500
S/3.52
1,000
Ver
5,000
S/2.86
1,000
S/3.40
2,500
S/3.27
5,000
S/2.86
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.73
21,438 En existencias
15,000 Se espera el 24/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
21,438 En existencias
15,000 Se espera el 24/12/2026
1
S/6.73
10
S/4.59
100
S/3.20
500
S/2.61
5,000
S/2.02
10,000
Ver
1,000
S/2.42
2,500
S/2.39
10,000
S/1.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.61
26,601 En existencias
20,000 Se espera el 17/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
26,601 En existencias
20,000 Se espera el 17/12/2026
1
S/2.61
10
S/2.05
100
S/1.75
500
S/1.69
5,000
S/1.28
10,000
Ver
1,000
S/1.47
2,500
S/1.46
10,000
S/1.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
59 A
5.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
9.4 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.32
257 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
257 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
257 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 17/09/2026
5,000 Se espera el 1/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/4.32
10
S/3.51
100
S/3.04
500
S/2.82
1,000
Ver
5,000
S/2.07
1,000
S/2.66
2,500
S/2.58
5,000
S/2.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel