Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
8,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

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726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

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1 Channel

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40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
3,500En existencias
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Nuevo producto

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S/10.04

S/6.42

S/4.44

S/3.77

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
12,971En existencias

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BSC010N04LS6ATMA1

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S/4.83

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S/3.27

MouseReel Disponible

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TDSON-FL-8

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
5,906En existencias
70,000En pedido

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BSC059N04LS6ATMA1

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726-BSC059N04LS6ATMA

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S/3.73

S/2.45

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Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.92
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20,000Se espera el 28/01/2027

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S/3.08

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TSDSON-FL-8

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83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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BSC022N04LS6ATMA1

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726-BSC022N04LS6ATMA

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S/5.25

S/3.53

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S/2.28

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Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

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100 A

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1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.52
39,527Se espera el 28/01/2027

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BSC007N04LS6ATMA1

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726-BSC007N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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39,527Se espera el 28/01/2027

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S/17.52

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S/6.58

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

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1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
179,766En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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S/5.25

S/3.40

S/2.53

S/2.17

S/1.87

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S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
13,336Se espera el 11/02/2027

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BSZ024N04LS6ATMA1

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726-BSZ024N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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13,336Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/6.42

S/4.55

S/3.57

S/3.22

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S/2.61

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

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IQE020N04LM6CGSCATMA1
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1: S/10.78
6,000Se espera el 26/05/2026
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IQE020N04LM6CGSCATMA1

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726-IQE020N04LM6CGSC

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S/4.67

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S/3.43

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: 6,000

SMD/SMT

WTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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