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MCG080N06LHE3-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCG080N06LHE3-TP
Price: 3.31 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

833-MCG080N06LHE3-TP

Fabricante N.º:

MCG080N06LHE3-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333-B

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

MCG080N06LHE3-TP Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/3.31	S/3.31
	S/2.05	S/20.50
	S/1.33	S/133.00
	S/1.02	S/510.00
	S/0.833	S/833.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/0.74	S/3,700.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN3333B-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	10.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	24 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.5 ns

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Hoja de datos

MCG080N06LHE3-TP Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCG080N06LHE3 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3 Power MOSFET is a 60V (V_DS) N-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCG080N06LHE3 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 10.5nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. The expanded drain pad helps disperse heat more effectively, supporting reliable high-current operation. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 24W and is housed in a PDFN3333-B package. The AEC-Q101 qualification ensures durability and dependable operation in automotive and other high-reliability applications. The MCG080N06LHE3 MOSFET is ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.