Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si71 MOSFETs

Vishay Si71 MOSFETs feature TrenchFET® Gen III Power MOSFET technology in low thermal resistance PowerPAK® 1212-8 and PowerPak SO-8 packages. The MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, ensuring reliability and performance. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. These compact MOSFETs are ideal for applications where space and thermal management are critical.

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Resultados: 44

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
33,087En existencias

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SI7143DP-T1-GE3

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781-SI7143DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.35

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

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35 A

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- 20 V, 20 V

2.8 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7155DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.20
120,589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7155DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7155DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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120,589En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.96

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

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100 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
104,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7101DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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104,595En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.18

S/2.51

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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89,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7119DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7119DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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89,475En existencias

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

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1 Channel

200 V

3.8 A

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4 V

16.2 nC

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+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7117DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
80,172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7117DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7117DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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80,172En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

2.17 A

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- 20 V, 20 V

4.5 V

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+ 150 C

12.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7106DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
23,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7106DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7106DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

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20 V

19.5 A

6.2 mOhms

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1.5 V

17.5 nC

- 55 C

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3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V

SI7112DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.99
11,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7112DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7112DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V

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S/11.99

S/7.75

S/5.33

S/4.32

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PowerPAK-1212-8

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1.5 V

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V

SI7116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.85
6,339En existencias

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SI7116DN-T1-GE3

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781-SI7116DN-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V

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S/12.85

S/8.29

S/5.80

S/4.67

S/4.55

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S/4.32

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PowerPAK-1212-8

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3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7153DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.20
8,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7153DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7153DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/4.20

S/2.63

S/1.72

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.03

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

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18 A

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2.5 V

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+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V

SI7110DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.07
4,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7110DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7110DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V

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4,736En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.37

S/4.36

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.82

MouseReel Disponible

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PowerPAK-1212-8

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20 V

21.1 A

5.3 mOhms

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3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 0.0049Ohm

SI7108DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.44
4,756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7108DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7108DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 0.0049Ohm

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4,756En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.32

S/5.10

S/4.13

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

4.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V

SI7108DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.83
4,028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7108DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7108DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V

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4,028En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.67

S/5.29

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

4.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
15,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7119DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7119DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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15,205En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.84

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

200 V

3.8 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

16.2 nC

- 50 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V

SI7114DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.14
8,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7114DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7114DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V

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Hoja de datos

8,755En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.90

S/5.45

S/4.55

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18.3 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

SI7116BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.05
25,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7116BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7116BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

25,144En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8PT

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31.4 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 35A

SI7104DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
2,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7104DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7104DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 35A

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Hoja de datos

2,755En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

12 V

35 A

3.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.62
48,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7145DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7145DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

48,926En existencias

Cinta cortada

S/16.62

S/10.94

S/7.71

S/6.46

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

275 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7111EDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.45
11,593En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7111EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7111EDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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11,593En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/5.45

S/3.42

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.40

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

8.55 mOhms

- 12 V, 12 V

1.6 V

56.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.96
8,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7157DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7157DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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8,782En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.50

S/3.22

Envase tipo carrete

S/3.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

415 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7106DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.72
4,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7106DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7106DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/11.72

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S/3.78

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

19.5 A

6.2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
10,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7114ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/5.57

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S/2.32

S/1.81

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S/1.43

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 50 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7137DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.74
2,714En existencias
15,000Se espera el 30/07/2026

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SI7137DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7137DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.95

S/6.23

S/5.06

S/4.98

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S/4.71

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.95 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

390 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7139DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
3,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7139DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7139DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

S/2.75

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S/2.48

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

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30 V

40 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

97 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

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SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.29
4,605En existencias
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SI7149ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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S/5.22

S/3.61

S/3.09

S/2.77

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S/2.20

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

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30 V

50 A

5.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7172ADP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
9,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7172ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7172ADP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/4.40

S/2.99

S/2.43

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S/1.96

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

17.2 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

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Si71 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.17 A
3.8 A
8.9 A
10.8 A
14.4 A
16 A
16.4 A
17.2 A
17.8 A
18 A
18.3 A
19.5 A
21.1 A
22 A
25 A
28 A
35 A
40 A
50 A
60 A

1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.6 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4.9 mOhms
5.2 mOhms
5.3 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
7.2 mOhms
7.4 mOhms
7.5 mOhms
7.8 mOhms
8.55 mOhms
9.5 mOhms
10 mOhms
11 mOhms

7.7 nC
10.9 nC
12.5 nC
14 nC
14.9 nC
15 nC
16.2 nC
17.5 nC
18 nC
19.5 nC
20 nC
21 nC
27.5 nC
31.4 nC
33 nC
43 nC
46 nC
47.5 nC
51 nC
56.5 nC