Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 44

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
33,624En existencias

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SI7143DP-T1-GE3

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781-SI7143DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.06

S/5.14

S/3.42

S/2.74

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S/2.35

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PowerPAK-SO-8

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- 20 V, 20 V

2.8 V

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- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7155DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.16
122,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7155DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7155DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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122,343En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.49

S/5.96

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7119DN-T1-GE3

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781-SI7119DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/6.38

S/4.05

S/2.68

S/2.11

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Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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104,747En existencias

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SI7101DN-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/7.43

S/4.75

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2.5 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7106DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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23,206En existencias

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SI7106DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7106DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/11.68

S/7.51

S/5.37

S/4.36

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TrenchFET

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SI7117DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI7117DN-T1-E3

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781-SI7117DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.62

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V

SI7116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7116DN-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V

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S/12.65

S/7.86

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S/4.67

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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Vishay Semiconductors
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9,063En existencias

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SI7153DN-T1-GE3

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78-SI7153DN-T1-GE3

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S/4.20

S/2.63

S/1.72

S/1.32

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Vishay Semiconductors
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4,756En existencias

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SI7108DN-T1-E3

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781-SI7108DN-T1-E3

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S/11.44

S/7.36

S/5.02

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V

SI7108DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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4,028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7108DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7108DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V

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Cinta cortada

S/11.83

S/7.67

S/5.25

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.51

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PowerPAK-1212-8

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1 Channel

20 V

22 A

4.9 mOhms

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20 nC

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
15,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7119DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7119DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.71

S/2.63

S/2.11

S/1.86

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S/1.64

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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

200 V

3.8 A

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4 V

16.2 nC

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+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V

SI7110DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.99
5,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7110DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7110DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V

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5,238En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.67

S/5.22

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.60

Ver

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

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1 Channel

20 V

21.1 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

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3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.86
15,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7190ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7190ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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15,355En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/6.77

S/4.01

S/3.46

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8

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1 Channel

250 V

14.4 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.9 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7172ADP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SI7172ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7172ADP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

14,843En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/3.75

S/2.71

S/2.28

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

17.2 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 35A

SI7104DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.68
2,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7104DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7104DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 35A

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Hoja de datos

2,775En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.51

S/5.37

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

12 V

35 A

3.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.62
50,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7145DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7145DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

50,468En existencias

Cinta cortada

S/16.62

S/10.90

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

275 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7137DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.66
14,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7137DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7137DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

14,031En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.23

S/5.06

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.95 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

390 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7111EDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.45
15,598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7111EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7111EDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

15,598En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.42

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

8.55 mOhms

- 12 V, 12 V

1.6 V

56.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7113ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.81
2,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7113ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7113ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

2,548En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.864

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

100 V

10.8 A

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- 20 V, 20 V

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10.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.96
11,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7157DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7157DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

11,181En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.50

S/3.22

Envase tipo carrete

S/3.03

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8

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2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

415 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7106DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.72
2,689En existencias
3,000Se espera el 1/06/2026

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SI7106DN-T1-E3

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781-SI7106DN-T1-E3

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S/11.72

S/7.55

S/5.18

S/4.20

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

19.5 A

6.2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
11,085En existencias

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SI7114ADN-T1-GE3

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S/3.50

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.43

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 50 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7129DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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781-SI7129DN-GE3

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S/4.01

S/2.65

S/2.08

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S/1.66

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47.5 nC

- 50 C

+ 150 C

52.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SI7139DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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S/5.57

S/3.77

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S/2.75

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S/2.48

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

40 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

97 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

SI7116BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SI7116BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7116BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/2.99

S/2.36

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S/1.90

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8PT

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31.4 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.17 A
3.8 A
8.9 A
10.8 A
14.4 A
16 A
16.4 A
17.2 A
17.8 A
18 A
18.3 A
19.5 A
21.1 A
22 A
25 A
28 A
35 A
40 A
50 A
60 A

1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.6 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4.9 mOhms
5.2 mOhms
5.3 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
7.2 mOhms
7.4 mOhms
7.5 mOhms
7.8 mOhms
8.55 mOhms
9.5 mOhms
10 mOhms
11 mOhms

7.7 nC
10.9 nC
12.5 nC
14 nC
14.9 nC
15 nC
16.2 nC
17.5 nC
18 nC
19.5 nC
20 nC
21 nC
27.5 nC
31.4 nC
33 nC
43 nC
46 nC
47.5 nC
51 nC
56.5 nC