ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz-28GHz)

Analog Devices ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz to 28GHz) is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier. The amplifier operates between 2GHz and 28GHz. The amplifier provides 15.5dB of gain, a 2.5dB noise figure, 26dBm output third-order intercept (OIP3), and 20dBm of output power for 1dB compression (P1dB) while requiring 53mA from a 5V supply. The Analog Devices  ADL9006 is self-biased, with only a single positive supply needed to achieve a supply current (IDD) of 53mA.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Figura de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
P1dB: punto de compresión
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 2 GHz to 30 GHz LNA
Hoja de datos
38En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2 GHz to 28 GHz 4 V to 7 V 53 mA 15.5 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 20 dBm 26 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF 2 GHz to 30 GHz LNA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

2 GHz to 28 GHz 15.5 dB 2.5 dB SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 18 dBm 19.5 dBm - 40 C + 85 C Reel