NVMJST1D3N04CTXG

onsemi
863-NVMJST1D3N04CTXG
NVMJST1D3N04CTXG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TCPAK-10
N-Channel
1 Channel
40 V
386 A
1.39 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 145 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 47 ns
Serie: NVMJST1D3N04C
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET

onsemi NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET is available in a TCPAK5x7 package for compact, efficient designs and high thermal performance. The NVMJST1D3N04C is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The onsemi NVMJST1D3N04C MOSFET is ideal for automotive applications requiring enhanced board-level reliability.

En existencias: 2,205

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/16.62 S/16.62
S/8.49 S/84.90
S/7.71 S/771.00
S/6.46 S/3,230.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/6.07 S/18,210.00

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