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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Modo canal
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 5V enhance ment mode field effe
Hoja de datos
1,000Se espera el 3/06/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 5V enhance ment mode field effe
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 5V enhance ment mode field effe
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel