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TF412T5G

Name: onsemi TF412T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-TF412T5G
Price: 3.54 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-TF412T5G

Fabricante N.º:

TF412T5G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH J-FET SOT-883

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

TF412T5G Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-883-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	- 30 V
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 600 mV
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	3 mA
Id - Corriente de drenaje continua:	10 mA
Serie:	TF412
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TF412 N-Channel JFET

onsemi TF412 N-Channel JFET is designed for low-frequency general-purpose amplifiers and impedance converter applications. The onsemi TF412 operates at a maximum voltage of 30V and a current of 10mA, with an impressively small input gate-source leakage current (I_GSS) of -1.0nA (V_GS = -20V, V_DS = 0V) and a typical input capacitance (C_iss) of 4pF (V_DS = 10V, V_GS = 0V, f = 1MHz). Encased in an ultrasmall SOT-883 package (1.0mm × 0.6mm × 0.4mm), this onsemi JFET supports product miniaturization and complies with halogen-free environmental standards, making it an excellent choice for compact and eco-friendly designs.