Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.

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Resultados: 6

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

TSM8588CS RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.93
4,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM8588CS RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM8588CSRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

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4,742En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

103 mOhms, 180 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1 V

9 nC, 9.4 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel

TSM8568CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.36
9,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM8568CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM8568CVRGG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel

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9,978En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.72

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PDFN33-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A, 5.7 A

17 mOhms, 33 mOhms

- 20 V, 25 V

2.5 V

16 nC, 21 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel

TSM8588CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.46
7,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM8588CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM8588CVRGG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel

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7,552En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.15

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.798

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PDFN33-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

6.6 A, 8.2 A

98 mOhms, 168 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.6 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

TSM6502CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.11
5,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM6502CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM6502CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

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5,091En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/2.57

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

5.4 A, 4 A

28 mOhms, 73 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20.8 nC, 9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

TSM2537CQ RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.62
6,209En existencias
12,000Se espera el 13/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
TSM2537CQ RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM2537CQRFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

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12,000Se espera el 13/03/2026

Cinta cortada

S/3.62

S/2.24

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.872

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TDFN22-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

11.6 A, 9 A

17 mOhms, 48 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV, 450 mV

9.1 nC, 9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.25 W, 6.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 15A, -30V, 13A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

TSM8568CS RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.02
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM8568CS RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM8568CSRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 15A, -30V, 13A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

15 A, 13 A

16 mOhms, 37 mOhms

- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V

1 V, 2.5 V

14 nC, 21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

TSM N- & P-Channel MOSFETs

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