Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/14.60
3,603 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,603 En existencias
1
S/14.60
10
S/9.54
100
S/6.66
500
S/5.45
1,000
S/5.41
2,000
S/5.06
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
S/15.22
105 En existencias
2,000 Se espera el 9/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
105 En existencias
2,000 Se espera el 9/06/2026
1
S/15.22
10
S/9.96
100
S/6.97
500
S/5.72
2,000
S/5.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
55 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/8.10
825 En existencias
2,000 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
825 En existencias
2,000 Se espera el 16/11/2026
1
S/8.10
10
S/5.18
100
S/3.49
500
S/2.77
2,000
S/2.34
4,000
Ver
1,000
S/2.54
4,000
S/2.27
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
S/2.13
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
No en existencias
2,000
S/2.13
4,000
S/2.03
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Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
5.2 mOhms
100 W
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel
Perú