Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
S/14.21
1,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,560 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.30
100
S/6.54
500
S/5.72
1,000
S/5.25
2,000
S/4.63
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
55 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/13.62
3,703 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,703 En existencias
1
S/13.62
10
S/8.87
100
S/6.23
500
S/5.41
1,000
S/5.02
2,000
S/4.40
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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S/6.54
1,308 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1,308 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.83
100
S/3.26
500
S/2.58
2,000
S/2.12
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Ver
1,000
S/2.37
4,000
S/1.97
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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2,000:
S/1.93
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
2,000
S/1.93
4,000
S/1.76
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Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
5.2 mOhms
100 W
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel