Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.

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Resultados: 9

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN5R0-30YL,115
Nexperia
1: S/3.81
10,736En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PSMN5R0-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN5R0-30YL-T/R

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK

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Cinta cortada

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S/3.04

S/2.60

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.26

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

91 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN2R0-30YL,115
Nexperia
1: S/8.76
674En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PSMN2R0-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN2R0-30YL-T/R

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK

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Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/4.98

S/3.82

Envase tipo carrete

S/2.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

97 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN3R0-30YL,115
Nexperia
1: S/7.05
1,440En existencias
NRND

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PSMN3R0-30YL,115

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771-PSMN3R0-30YL-T/R

NRND

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Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/4.09

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.07

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

45.8 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN7R0-30YL,115
Nexperia
1: S/4.36
683En existencias
NRND

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PSMN7R0-30YL,115

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771-PSMN7R0-30YL-T/R

NRND

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Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/2.52

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN1R7-30YL,115
Nexperia
1: S/9.46
1,284En existencias

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PSMN1R7-30YL,115

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771-PSMN1R7-30YL-T/R

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/5.33

S/4.16

Envase tipo carrete

S/2.92

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

77.9 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN2R5-30YL,115
Nexperia
1: S/6.27
149En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PSMN2R5-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN2R5-30YL-T/R

NRND

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149En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/3.83

S/2.64

Envase tipo carrete

S/1.80

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN3R5-30YL,115
Nexperia
1: S/6.77
1,038En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PSMN3R5-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN3R5-30YL-T/R

NRND

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Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/4.09

S/2.88

Envase tipo carrete

S/1.98

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN4R0-30YL,115
Nexperia
1: S/5.14
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
PSMN4R0-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN4R0-30YL-T/R

NRND

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Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.99

S/2.14

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S/1.44

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

36.6 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK

PSMN6R0-30YL,115
Nexperia
1: S/4.59
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N.º de artículo del Fabricante
PSMN6R0-30YL,115

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN6R0-30YL-T/R

NRND

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S/4.59

S/2.89

S/2.82

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.27

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

79 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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