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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Hoja de datos
750En existencias
S/144.88
S/110.86
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
Hoja de datos
6,109En pedido
Cinta cortada
S/157.33
S/127.91
S/120.36
S/112.84
Envase tipo carrete
S/112.84
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC