Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs offer a robust design with enhanced electrical testing. The N-channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications and supply a 175A or 245A continuous drain current.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.62
6,738En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Hoja de datos

6,738En existencias

Cinta cortada

S/29.62

S/21.21

S/18.49

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.28
1,605En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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Hoja de datos

1,605En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.98

S/20.94

S/20.90

Envase tipo carrete

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.68
2,558En existencias
1,800Se espera el 8/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

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2,558En existencias

1,800Se espera el 8/12/2026

Cinta cortada

S/34.68

S/25.03

S/21.88

Envase tipo carrete

S/21.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
3,612En existencias
Nuevo producto

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IAUTN15S6N038ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Cinta cortada

S/23.82

S/16.89

S/14.64

S/14.44

Envase tipo carrete

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
1,742En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

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1,742En existencias

Cinta cortada

S/26.70

S/19.07

S/16.58

S/16.39

Envase tipo carrete

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.36
1,773En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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S/27.36

S/19.54

S/17.01

S/16.85

Envase tipo carrete

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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