Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Automotive MOSFETs offer a robust design with enhanced electrical testing. The N-channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications and supply a 175A or 245A continuous drain current.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.49
5,438En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Cinta cortada

S/31.49

S/24.41

S/20.67

S/19.19

S/18.72

Envase tipo carrete

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.33
1,535En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025GAT

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Cinta cortada

S/34.33

S/26.66

S/22.65

S/21.06

S/20.40

Envase tipo carrete

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
3,942En existencias
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IAUTN15S6N038ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038ATM

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Cinta cortada

S/23.82

S/18.26

S/15.38

S/14.21

S/13.82

Envase tipo carrete

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.98
1,904En existencias
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IAUTN15S6N025TATMA1

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726-IAUTN15S6N025TAT

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S/39.98

S/31.22

S/26.62

S/24.76

S/22.97

Envase tipo carrete

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
1,607En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

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Cinta cortada

S/26.70

S/20.59

S/17.36

S/16.08

S/15.45

Envase tipo carrete

S/14.17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.09
1,611En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038TAT

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S/30.09

S/23.28

S/19.70

S/18.26

S/17.63

Envase tipo carrete

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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