Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
1,567En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S418AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,567En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/7.08

S/4.44

S/2.89

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
11,763En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L030HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L030H

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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11,763En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.49

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

119 A

3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
8,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,372En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.78

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.60
9,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

9,047En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/7.43

S/5.06

S/4.24

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

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2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
2,608En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

2,608En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/5.61

S/3.54

S/2.34

S/1.83

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

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1 Channel

60 V

41 A

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- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

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+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
4,227En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

S/9.73

S/6.23

S/4.24

S/3.51

Ver

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.87
1,500En existencias
6,000Se espera el 27/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,500En existencias

6,000Se espera el 27/05/2027

Cinta cortada

S/24.87

S/15.69

S/11.29

S/11.13

Envase tipo carrete

S/10.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
5,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

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Hoja de datos

5,258En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.10

S/2.04

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.42
2,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

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2,200En existencias

Cinta cortada

S/25.42

S/17.05

S/12.30

S/11.41

S/10.67

Envase tipo carrete

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

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3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.33
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

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790En existencias

Cinta cortada

S/18.33

S/12.11

S/8.56

S/7.94

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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