Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.71
6,515 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,515 En existencias
1
S/4.71
10
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100
S/1.95
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S/1.51
5,000
S/1.09
10,000
Ver
1,000
S/1.26
2,500
S/1.25
10,000
S/1.02
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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20 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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30 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.36
14,785 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
14,785 En existencias
1
S/4.36
10
S/3.04
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Ver
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S/1.38
2,500
S/1.35
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S/1.12
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8-3
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.01
990 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
990 En existencias
1
S/17.01
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S/7.43
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Detalles
Si
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HSOG-8
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1 Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.64
2,689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2,689 En existencias
1
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10
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Ver
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S/1.29
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.90
13,772 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
13,772 En existencias
1
S/4.90
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S/1.56
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Detalles
Si
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.15
3,778 En existencias
25,000 Se espera el 9/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
3,778 En existencias
25,000 Se espera el 9/07/2026
1
S/9.15
10
S/5.84
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S/4.05
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S/2.51
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Detalles
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.89
563 En existencias
1,800 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
563 En existencias
1,800 Se espera el 13/11/2026
1
S/22.89
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S/9.30
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Si
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.50
7,617 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L030H
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
7,617 En existencias
1
S/9.50
10
S/6.11
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TDSON-8
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119 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.74
7,392 Se espera el 7/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
7,392 Se espera el 7/08/2026
1
S/10.74
10
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S/3.19
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
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3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.54
5,504 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
5,504 Se espera el 15/10/2026
1
S/22.54
10
S/15.76
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S/12.73
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S/11.33
1,000
S/9.69
2,000
S/9.69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
166 nC
- 55 C
+ 175 C
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel