Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si76 Series MOSFETs

Vishay Semiconductors Si76 Series MOSFETs are TrenchFET^® power MOSFETs for low-side switches in DC/DC converters and OR-ings. The P- and N-channel MOSFETs are 100% avalanche and R_g tested. The Vishay Si76 Series MOSFETs offer a wide range of packages and voltages for user requirements.

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Resultados: 23

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.41
41,837En existencias

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SI7617DN-T1-GE3

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781-SI7617DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.41

S/3.41

S/2.26

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.41

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

12.3 mOhms

- 25 V, 25 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

SI7655ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
41,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7655ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7655ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

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41,233En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.46

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

40 A

3.6 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

150 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 0.004Ohm

SI7636DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.83
3,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7636DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7636DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 0.004Ohm

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3,782En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/4.67

S/4.52

S/4.44

S/4.16

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S/3.87

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

28 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

5.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7658ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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3,244En existencias

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SI7658ADP-T1-GE3

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781-SI7658ADP-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.29

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7619DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
32,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7619DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7619DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

24 A

21 mOhms

- 25 V, 25 V

1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

SI7655DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
7,968En existencias

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SI7655DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7655DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

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S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.58

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

40 A

3 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

225 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7634BDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.05
3,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7634BDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7634BDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,719En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.37

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

SI7629DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
30,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7629DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7629DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

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30,302En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.09

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.71

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.8 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

177 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V

SI7686DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
3,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7686DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7686DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V

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3,652En existencias

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S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.47

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

37.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76

SI7615DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
7,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7615DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7615DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI76

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7,812En existencias

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S/7.16

S/5.41

S/3.67

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.38

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.1 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.46
21,826En existencias
12,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7615ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7615ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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21,826En existencias

12,000Se espera el 16/02/2026

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S/3.46

S/2.64

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

4.4 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7611DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
9,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7611DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7611DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.64

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

40 V

18 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

41 nC

- 50 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7615CDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
17,503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7615CDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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17,503En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/1.93

S/1.25

S/0.958

Envase tipo carrete

S/0.736

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

7.2 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

111 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7613DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
7,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7613DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7613DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

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7,909En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.08

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

14 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

87 nC

- 50 C

+ 150 C

52.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7623DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.56
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7623DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7623DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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870En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.53

S/3.73

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.42

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

3.1 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7625DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.62
116En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7625DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7625DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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116En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7633DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
1,849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7633DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7633DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

1,849En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/6.07

S/4.13

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.83

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

260 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7634BDP-T1-E3
Vishay Semiconductors
3,000: S/3.16
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7634BDP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7634BDP-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V

SI7636DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
3,000: S/4.09
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7636DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7636DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.09

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

28 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

5.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V

SI7652DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.72
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7652DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7652DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.72

S/1.66

S/1.62

Min.: 3,000
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

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1 Channel

30 V

15 A

15.8 mOhms

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1.8 V

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- 55 C

+ 150 C

3.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W

SI7684DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3,000: S/3.89
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N.º de artículo del Fabricante
SI7684DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7684DP-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W

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S/3.89

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Mult.: 3,000

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TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V

SI7684DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/3.89
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N.º de artículo del Fabricante
SI7684DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7684DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V

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S/3.89

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V

SI7686DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
3,000: S/2.55
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N.º de artículo del Fabricante
SI7686DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7686DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V

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S/2.55

S/2.48

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

37.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Si76 Series MOSFETs

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