R8003KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8003KNXC7G
R8003KNXC7G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 3A N-CH MOSFET

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
3 A
1.8 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
11.5 nC
- 55 C
+ 150 C
36 W
Enhancement
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 65 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Alias de las piezas n.º: R8003KNX
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

R8003KNX N-Channel 800V 3A Power MOSFET

ROHM Semiconductor R8003KNX N-Channel 800V 3A Power MOSFET is a low on-resistance device with fast switching. The R8003KNX features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.

En existencias: 1,988

Existencias:
1,988 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/10.28 S/10.28
S/7.32 S/73.20
S/5.64 S/564.00
S/5.06 S/2,530.00
S/4.67 S/4,670.00
S/4.44 S/8,880.00
S/4.05 S/20,250.00

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