Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 19

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

TK31V60X,LQ
Toshiba
1: S/25.42
4,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60X,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60XLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,913En existencias

Cinta cortada

S/25.42

S/17.17

S/14.21

S/14.17

Ver

Envase tipo carrete

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

78 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

TK39N60X,S1F
Toshiba
1: S/35.66
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

Obtenga más información

Hoja de datos

30En existencias

S/35.66

S/21.53

S/18.49

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6

TK024N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/62.82
45En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK024N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK024N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

S/62.82

S/48.62

S/42.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

24 mOhms

30 V

4 V

140 nC

+ 150 C

506 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25A60X5,S5X
Toshiba
1: S/20.47
665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK25A60X5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25A60X5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

665En existencias

S/20.47

S/15.84

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25A60X,S5X
Toshiba
1: S/14.83
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK25A60X,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25A60XS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

94En existencias

S/14.83

S/9.69

S/8.99

S/7.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25E60X5,S1X
Toshiba
1: S/24.02
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK25E60X5,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25E60X5S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

84En existencias

S/24.02

S/12.92

S/11.72

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25N60X,S1F
Toshiba
1: S/24.13
39En existencias
60Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK25N60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK25N60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

39En existencias

60Se espera el 20/02/2026

S/24.13

S/14.05

S/11.68

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

TK31E60X,S1X
Toshiba
1: S/28.26
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31E60X,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK31E60XS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

Obtenga más información

Hoja de datos

72En existencias

S/28.26

S/15.41

S/14.05

S/12.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

TK31N60X,S1F
Toshiba
1: S/29.58
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Obtenga más información

Hoja de datos

34En existencias

S/29.58

S/16.89

S/14.40

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK31Z60X,S1F
Toshiba
1: S/47.53
46En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31Z60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK31Z60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

46En existencias

S/47.53

S/29.35

S/24.99

S/24.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25E60X,S1X
Toshiba
1: S/23.55
98Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK25E60X,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25E60XS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

98Se espera el 15/05/2026

S/23.55

S/12.49

S/11.21

S/9.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK25N60X5,S1F
Toshiba
1: S/23.59
60Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK25N60X5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK25N60X5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

60Se espera el 20/02/2026

S/23.59

S/13.39

S/11.52

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax

TK62N60X,S1F
Toshiba
1: S/50.14
60Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK62N60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK62N60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax

Obtenga más información

Hoja de datos

60Se espera el 20/02/2026

S/50.14

S/31.72

S/27.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK62Z60X,S1F
Toshiba
1: S/68.12
5Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK62Z60X,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK62Z60XS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

5Se espera el 20/02/2026

S/68.12

S/43.32

S/38.54

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK22A65X5,S5X
Toshiba
1: S/19.03
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK22A65X5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK22A65X5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/19.03

S/9.93

S/8.99

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK22A65X,S5X
Toshiba
1: S/18.06
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK22A65X,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK22A65XS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/18.06

S/9.38

S/8.52

S/7.28

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ

TK22V65X5,LQ
Toshiba
2,500: S/12.30
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK22V65X5,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK22V65X5LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.30

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ

TK25V60X5,LQ
Toshiba
2,500: S/10.90
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK25V60X5,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK25V60X5LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.90

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR

TK25V60X,LQ
Toshiba
2,500: S/10.90
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK25V60X,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK25V60XLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.90

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

DTMOSIV-H

Reel

DTMOSIV-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte