Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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MOSFETs
Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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S/11.37
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
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12,000 Se espera el 17/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
12,000 Se espera el 17/07/2026
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Perú
