Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.18
58,697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
58,697 En existencias
1
S/5.18
10
S/1.90
100
S/1.75
500
S/1.57
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/11.02
1,238 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
1,238 En existencias
1
S/11.02
10
S/8.21
100
S/6.58
500
S/5.06
800
S/5.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
186 nC
- 55 C
+ 175 C
294 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
IRFB7540PBF
Infineon Technologies
1:
S/7.90
6,796 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7540PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
6,796 En existencias
1
S/7.90
10
S/3.24
100
S/2.85
500
S/2.49
1,000
S/2.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/10.63
653 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7540TRLPBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
653 En existencias
1
S/10.63
10
S/6.89
100
S/4.48
500
S/3.86
800
S/3.73
2,400
Ver
2,400
S/3.70
4,800
S/3.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/9.73
558 En existencias
800 Se espera el 1/06/2026
N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
558 En existencias
800 Se espera el 1/06/2026
1
S/9.73
10
S/6.27
100
S/4.28
500
S/3.22
800
S/2.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
173 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
142 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.68
2,513 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7546PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
2,513 En existencias
1
S/5.68
10
S/2.67
100
S/2.38
500
S/1.86
1,000
Ver
1,000
S/1.70
5,000
S/1.61
10,000
S/1.55
25,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
75 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
99 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Perú