Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
450Se espera el 21/09/2026
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SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4 No en existencias
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 800
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: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 800
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 800
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SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 800
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 800
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 800
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4 No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101