Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4500F100F1024ACXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/43.75
747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-F100F1024ACXQMA1
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
747 En existencias
1
S/43.75
10
S/34.45
25
S/29.74
100
S/29.19
1,080
S/29.15
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Detalles
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4500F144K1024ACXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/59.59
1,401 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-F144K1024ACXQMA1
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
1,401 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/59.59
10
S/47.14
25
S/41.73
100
S/40.29
250
Ver
250
S/38.73
360
S/38.69
1,080
S/37.95
2,520
Presupuesto
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Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MINI
IKCM10L60GAXKMA1
Infineon Technologies
1:
S/46.01
349 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKCM10L60GAXKMA1
Infineon Technologies
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MINI
349 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/46.01
10
S/34.92
25
S/33.09
100
S/29.27
280
Ver
280
S/24.37
560
S/23.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.18
2,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,683 En existencias
1
S/15.18
10
S/10.08
100
S/7.24
500
S/6.58
1,000
S/5.45
2,000
Ver
2,000
S/5.41
10,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.81
4,605 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,605 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.81
10
S/17.24
100
S/13.94
500
S/12.46
1,000
S/10.59
2,000
S/10.55
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
S/29.23
3,629 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
3,629 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/29.23
10
S/21.84
100
S/17.67
500
S/15.80
1,000
S/13.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/19.97
2,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
2,219 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/19.97
10
S/13.27
100
S/10.94
500
S/9.26
1,000
S/8.14
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Detalles
Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC4000
KITXMC45RELAXV1TOBO1
Infineon Technologies
1:
S/146.83
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-KITXMC45RELAX
Infineon Technologies
Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC4000
74 En existencias
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Detalles
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4400F64K512BAXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/46.01
914 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4400F64K512BA
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
914 En existencias
1
S/46.01
10
S/36.08
25
S/33.05
100
S/29.54
250
Ver
250
S/28.77
500
S/28.57
960
S/28.10
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1:
S/15.41
3,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
3,737 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/5.02
12,149 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
12,149 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.49
25
S/3.44
100
S/2.70
800
S/2.05
2,400
S/1.94
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1:
S/17.17
955 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
955 En existencias
1
S/17.17
10
S/11.48
100
S/8.84
500
S/7.75
1,000
Ver
1,000
S/6.50
2,000
S/6.03
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/16.43
5,905 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
5,905 En existencias
1
S/16.43
10
S/10.82
100
S/7.63
500
S/5.99
800
S/5.64
9,600
Ver
9,600
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.68
916 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12B2XUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
916 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/18.68
10
S/14.25
25
S/13.12
100
S/11.87
250
Ver
1,000
S/9.50
250
S/11.29
500
S/10.94
1,000
S/9.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
1EDC20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.47
677 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDC20I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
677 En existencias
1
S/10.47
10
S/7.82
25
S/7.16
100
S/6.42
1,000
S/5.68
2,000
Ver
2,000
S/5.45
5,000
S/5.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.17
358 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDC40I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
358 En existencias
1
S/11.17
10
S/8.37
25
S/7.67
100
S/6.89
1,000
S/6.07
2,000
Ver
250
S/6.50
500
S/6.27
2,000
S/5.76
5,000
S/5.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.96
490 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
490 En existencias
1
S/9.96
10
S/7.43
25
S/6.77
100
S/6.07
1,000
S/5.29
2,000
Ver
250
S/5.76
500
S/5.57
2,000
S/5.06
5,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.11
5,676 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-2EDN7524FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
5,676 En existencias
1
S/3.11
10
S/2.21
25
S/1.99
100
S/1.75
2,500
S/1.38
7,500
Ver
250
S/1.63
500
S/1.56
1,000
S/1.44
7,500
S/1.36
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC031N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/11.64
12,350 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC031N06NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
12,350 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.55
100
S/5.22
500
S/4.36
1,000
Ver
5,000
S/3.55
1,000
S/4.16
2,500
S/4.05
5,000
S/3.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.59
16,231 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
16,231 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.59
10
S/6.77
100
S/4.63
500
S/3.84
5,000
S/3.10
10,000
Ver
1,000
S/3.66
10,000
S/3.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.72
2,683 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7546PBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
2,683 En existencias
1
S/5.72
10
S/2.42
100
S/2.41
500
S/1.90
1,000
Ver
1,000
S/1.72
2,000
S/1.62
5,000
S/1.43
10,000
S/1.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/1.67
8,170 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSS205NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
8,170 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.67
10
S/1.23
100
S/0.697
500
S/0.471
3,000
S/0.315
6,000
Ver
1,000
S/0.358
6,000
S/0.272
9,000
S/0.253
24,000
S/0.226
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/1.48
10,363 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
10,363 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.48
10
S/1.10
100
S/0.627
500
S/0.42
3,000
S/0.28
6,000
Ver
1,000
S/0.319
6,000
S/0.241
9,000
S/0.226
24,000
S/0.202
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/17.87
212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
212 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.87
10
S/11.95
100
S/9.19
500
S/8.17
1,000
S/6.93
2,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.23
430 En existencias
1,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
430 En existencias
1,000 Se espera el 2/03/2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles