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Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/16.35
1,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7534TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7534TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

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S/16.35

S/10.74

S/7.63

S/6.77

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S/5.92

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: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPP60R190P6
Infineon Technologies
1: S/14.17
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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693En existencias

S/14.17

S/9.23

S/6.46

S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/8.21
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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S/8.21

S/5.22

S/3.51

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.47

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.88
5,415En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/15.88

S/12.11

S/9.89

S/9.69

Envase tipo carrete

S/8.95

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.82
1,953En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,953En existencias

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S/23.82

S/16.00

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.70

Presupuesto

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB

IRFB7540PBF
Infineon Technologies
1: S/7.90
6,753En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7540PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7540PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB

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S/7.90

S/3.24

S/2.85

S/2.48

S/2.28

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Controladores de puertas DRIVER-IC

1ED020I12FTA
Infineon Technologies
1: S/32.07
890En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1ED020I12FTA

N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FTA

NRND

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Controladores de puertas DRIVER-IC

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890En existencias

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S/32.07

S/24.72

S/22.89

S/20.86

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S/18.68

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: 1,000

Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V

2ED020I12FAXUMA2
Infineon Technologies
1: S/52.78
822En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2ED020I12FAXUMA2

N.º de artículo de Mouser
726-2ED020I12FAXUMA2

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas Dual Channel IGBT Driver IC +/-1200V

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822En existencias

Cinta cortada

S/52.78

S/41.57

S/38.46

S/35.69

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Envase tipo carrete

S/32.50

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.99
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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698En existencias

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S/14.99

S/9.23

S/6.85

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.77
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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969En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/5.76

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu

1EDC20H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
2,250En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDC20H12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDC20H12AHXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu

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2,250En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/8.87

S/8.10

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.03

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
4,894En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60I12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60I12AHXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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4,894En existencias

Cinta cortada

S/12.53

S/9.42

S/8.49

S/7.79

Envase tipo carrete

S/6.93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
1: S/15.30
631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L07ATMA3

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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631En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/9.15

S/7.20

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
1,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

1,971En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.93

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.89

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Conversores CA/DC PWM Controller 650V 1.5A

ICE2QR1765Z
Infineon Technologies
1: S/8.99
1,306En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
ICE2QR1765Z

N.º de artículo de Mouser
726-ICE2QR1765Z

NRND

Infineon Technologies

Conversores CA/DC PWM Controller 650V 1.5A

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1,306En existencias

S/8.99

S/6.66

S/5.84

S/5.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/41.18
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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3,837En existencias

Cinta cortada

S/41.18

S/29.12

S/24.25

S/21.60

Envase tipo carrete

S/20.44

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.49
1,274En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60H12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60H12AHXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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Hoja de datos

1,274En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/9.38

S/8.37

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.66

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MINI

IKCM10H60GAXKMA1
Infineon Technologies
1: S/42.86
329En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IKCM10H60GAXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKCM10H60GAXKMA1

NRND

Infineon Technologies

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición CIPOS MINI

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329En existencias

S/42.86

S/32.58

S/30.28

S/28.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: S/6.66
5,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.13

S/2.70

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.46

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/9.07
4,302En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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4,302En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.25

S/3.76

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.60

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Conversores CA/DC PWM Controller 650V

ICE2QR0665G
Infineon Technologies
1: S/11.52
1,900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
ICE2QR0665G

N.º de artículo de Mouser
726-ICE2QR0665G

NRND

Infineon Technologies

Conversores CA/DC PWM Controller 650V

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Hoja de datos

1,900En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/8.64

S/7.90

S/7.08

Envase tipo carrete

S/5.96

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Conversores CA/DC PWM Controller 650V 1.5A

ICE2QR1765G
Infineon Technologies
1: S/9.38
2,233En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
ICE2QR1765G

N.º de artículo de Mouser
726-ICE2QR1765G

NRND

Infineon Technologies

Conversores CA/DC PWM Controller 650V 1.5A

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Hoja de datos

2,233En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.93

S/6.19

S/5.68

Envase tipo carrete

S/4.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/21.02
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

983En existencias

Cinta cortada

S/21.02

S/13.78

S/10.28

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/9.65
1,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,515En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/5.80

S/4.13

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/13.78
856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

856En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/8.95

S/6.31

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.87

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Infineon Automatic Opening Systems

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