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Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

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N.° de pieza

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
595En existencias
1,000Se espera el 23/02/2026

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6EDL04N06PTXUMA1

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726-6EDL04N06PTXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/12.77

S/9.58

S/8.80

S/7.90

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S/6.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1: S/7.20
265En existencias
5,000Se espera el 3/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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S/1.91

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
742En existencias
9,278En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC037N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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S/12.38

S/8.06

S/5.61

S/4.75

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S/3.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1: S/4.13
10,250En existencias

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BSC050NE2LS

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726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.12
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BSC057N08NS3 G

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726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/6.54

S/4.67

S/3.93

S/3.62

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S/3.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.63
20,052En existencias

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BSC067N06LS3 G

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726-BSC067N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/7.63

S/4.90

S/3.38

S/2.86

S/2.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: S/4.98
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BSC0901NS

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726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/3.13

S/2.07

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BSC0902NS
Infineon Technologies
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BSC0902NS

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S/3.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
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BSC0906NS

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S/1.31

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: S/3.81
42,178En existencias

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BSC093N04LS G

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S/1.60

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S/0.821

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
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BSC100N06LS3 G

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S/4.24

S/2.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
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5,095En existencias

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BSC190N15NS3 G

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726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/7.20

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S/3.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/6.81
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BSC252N10NSF G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.36

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S/1.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.90
36,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/4.90

S/3.11

S/2.06

S/1.69

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S/1.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.28
2,959En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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S/1.28

S/0.786

S/0.494

S/0.385

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
1: S/3.78
12,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ060NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/3.78

S/2.32

S/1.59

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.814

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0909NS
Infineon Technologies
1: S/3.35
402En existencias
10,000Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0909NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0909NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

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S/3.35

S/2.07

S/1.35

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.634

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1: S/3.85
1,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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S/3.85

S/2.38

S/1.63

S/1.28

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S/0.837

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ100N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.34
8,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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8,543En existencias

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S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.20

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S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
250En existencias
9,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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250En existencias

9,800En pedido

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S/6.15

S/3.71

S/2.67

S/2.16

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Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.79
9,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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9,330En existencias

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S/7.79

S/4.94

S/3.30

S/2.70

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Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ130N03LS G
Infineon Technologies
1: S/3.54
2,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ130N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ130N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

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2,913En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.21

S/1.44

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.779

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.55
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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S/7.55

S/4.83

S/3.20

S/2.62

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Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER

ICE3BS03LJG
Infineon Technologies
1: S/6.54
871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ICE3BS03LJG

N.º de artículo de Mouser
726-ICE3BS03LJG

Infineon Technologies

Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER

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871En existencias

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S/6.54

S/4.20

S/3.73

S/3.07

Envase tipo carrete

S/1.94

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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947En existencias

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S/10.59

S/6.81

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.49

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Carrete: 1,000

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