QPD0005MTR13

Qorvo
772-QPD0005MTR13
QPD0005MTR13

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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S/19.07 S/1,907.00
S/18.22 S/4,555.00
S/16.85 S/8,425.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/14.32 S/35,800.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
4.5 mm x 4 mm
48 V
Marca: Qorvo
Ganancia: 18.6 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 2.5 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 8 W
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0005M
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: QPD0005M
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD0005M RF JFET Transistors

Qorvo QPD0005M RF JFET Transistors are single-path discrete GaNs on SiC HEMT in a plastic overmold DFN package. The transistors operate from 2.5 to 5.0GHz. The devices are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a PSAT of 5.9W at +48V operation.