GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 244

Existencias:
244 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/44.61 S/44.61
S/39.94 S/399.40
S/27.83 S/2,783.00
S/27.52 S/13,760.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 30)
S/39.94 S/1,198.20

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
Marca: Nexperia
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 10 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 10 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Alias de las piezas n.º: 934661752127
Peso de la unidad: 123 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99