X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode. These MOSFETs feature low RDS(ON), low gate charge (QG), and high-power density. IXYS X3-Class 200V-300V Power MOSFETs with HiPerFET remove leftover energies during high-speed switching to avoid device failure. Typical applications include DC-to-DC converters, power supplies, robotics, servo controls, and battery chargers for light electric vehicles.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
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4En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
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5,435En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
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1,768Se espera el 15/02/2027
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
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191Se espera el 9/11/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
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350Se espera el 25/11/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
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293Se espera el 28/09/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
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1,850Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 44A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
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Plazo de entrega 34 Semanas
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega 34 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3