Controlador GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1

El controlador   GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1 de Texas Instruments se diseñó para controlar tanto la alta tensión como el FET de nitruro de galio (GaN) en modo de mejora de baja tensión en una configuración reductora, elevadora o de medio puente sincrónica. El dispositivo cuenta con un diodo de arranque de 100 V integrado y entradas independientes para las salidas de alta y baja tensión a fin de lograr una máxima flexibilidad de control. El voltaje de polarización de alta tensión se genera mediante una técnica de arranque. Se fija internamente a 5 V, lo que evita que el voltaje de la puerta supere la clasificación de voltaje puerta-fuente máximo de los FET GaN en modo mejora. Las entradas del LMG1205/LMG1025-Q1 son compatibles con la lógica TTL y pueden resistir voltajes de entrada de hasta 14 V, independientemente del voltaje VDD  . El LMG1205/LMG1205-Q1 tiene salidas de puertas divididas, lo que ofrece flexibilidad para ajustar de manera independiente la resistencia de encendido y apagado.