GaN FETs – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.21
4,684En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R140D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R140D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,684En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.43
4,892En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R200D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R200D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

4,892En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.73

S/4.79

S/4.01

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
4,928En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R270D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R270D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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4,928En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.35

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.93
302En existencias
1,800Se espera el 19/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R035D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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302En existencias

1,800Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

S/38.93

S/29.51

S/24.60

S/21.91

S/19.50

Envase tipo carrete

S/19.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
1,465En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R045D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R045D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,465En existencias

Cinta cortada

S/31.18

S/21.21

S/16.39

S/14.71

Envase tipo carrete

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.68
1,242En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R055D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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1,242En existencias

Cinta cortada

S/24.68

S/18.88

S/15.26

S/13.58

S/11.64

Envase tipo carrete

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.09
1,674En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R110D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R110D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

1,674En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/11.41

S/8.76

S/7.79

Envase tipo carrete

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/47.64
415En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R025D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

S/47.64

S/33.32

S/28.73

Envase tipo carrete

S/23.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/39.28
761En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R035D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R035D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Hoja de datos

761En existencias

Cinta cortada

S/39.28

S/30.71

S/25.61

S/22.81

Envase tipo carrete

S/20.32

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.80
1,388En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R045D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R045D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,388En existencias

Cinta cortada

S/31.80

S/21.91

S/17.05

S/17.01

Envase tipo carrete

S/15.49

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.86
730En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGOT65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGOT65R055D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

730En existencias

Cinta cortada

S/26.86

S/19.66

S/15.88

S/14.13

Envase tipo carrete

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/46.01
3,635En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R025D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R025D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

3,635En pedido

Cinta cortada

S/46.01

S/32.27

S/27.64

S/27.60

S/24.83

Envase tipo carrete

S/22.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

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