Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: S/7.43
2,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

2,865En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.17

S/2.51

S/2.29

Envase tipo carrete

S/2.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: S/9.54
6,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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Hoja de datos

6,000En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/5.49

S/4.13

S/3.51

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/5.68
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.58

S/2.37

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: S/6.70
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.13

S/2.85

S/2.25

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: S/5.68
2,994En existencias
3,000Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,994En existencias

3,000Se espera el 19/06/2026

Cinta cortada

S/5.68

S/3.59

S/2.38

S/1.86

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: S/6.19
7,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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Hoja de datos

7,630En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: S/6.38
458En existencias
3,000Se espera el 5/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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Hoja de datos

458En existencias

3,000Se espera el 5/06/2026

Cinta cortada

S/6.38

S/3.97

S/2.62

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/5.53
1,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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1,413En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.48

S/2.30

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/7.36
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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Hoja de datos

6,000En pedido

Cinta cortada

S/7.36

S/4.55

S/2.98

S/2.34

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: S/6.15
5,645En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS7D3N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

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5,645En pedido

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.58

S/2.02

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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