Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

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Resultados: 18

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.70
4,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6P040BHTB1

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755-RH6P040BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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4,957En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.73

S/4.75

S/3.80

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.90
5,849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6R025BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6R025BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

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5,849En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/6.77

S/4.83

S/3.88

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.41

Min.: 1
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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

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16.7 nC

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+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN

RS6P060BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/12.49
4,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6P060BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6P060BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN

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4,015En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/8.10

S/5.61

S/4.55

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

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60 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN

RS6R035BHTB1
ROHM Semiconductor
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4,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6R035BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6R035BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN

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4,873En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.29

S/5.72

S/4.67

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOP-8

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1 Channel

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73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET

RS6R060BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/17.09
3,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6R060BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6R060BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET

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3,871En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/10.98

S/7.94

S/6.73

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

150 V

60 A

21.8 mOhms

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4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

RS6L120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/18.22
2,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6L120BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

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2,909En existencias

Cinta cortada

S/18.22

S/11.83

S/8.52

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.85

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

RS6P100BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/16.70
838En existencias

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RS6P100BHTB1

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755-RS6P100BHTB1

ROHM Semiconductor

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838En existencias

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S/16.70

S/10.78

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

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1 Channel

100 V

100 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

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45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

RS6G100BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.32
4,780En existencias

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RS6G100BGTB1

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755-RS6G100BGTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

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S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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HSOP-8

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1 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A

RS6G120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/17.94
7,131En existencias

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RS6G120BGTB1

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755-RS6G120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A

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S/17.94

S/11.64

S/8.37

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

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1 Channel

40 V

210 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A

RS6R085CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.66
1,992En existencias
Nuevo producto

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RS6R085CHTB1

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755-RS6R085CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A

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Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.19

S/5.02

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

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85 A

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4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET

RS6G122CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/12.65
2,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS6G122CHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6G122CHTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET

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Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.68

S/4.59

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

225 A

1.2 mOhms

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4 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 270A HSOP8, Power MOSFET

RS6E120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.25
2,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6E120BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6E120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 270A HSOP8, Power MOSFET

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Hoja de datos

2,448En existencias

Cinta cortada

S/14.25

S/9.30

S/6.50

S/5.29

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

270 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A

RS6G120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.71
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6G120BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6G120BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A

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2,500En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.61

S/7.01

S/5.88

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

210 A

1.38 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A

RS6L120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.71
2,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6L120BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L120BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A

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Hoja de datos

2,440En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.65

S/6.73

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.64
1,117En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6L040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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Hoja de datos

1,117En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.20

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

RS6L090BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/12.26
2,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6L090BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L090BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

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Hoja de datos

2,516En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.98

S/5.49

S/4.44

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.51
4,985Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

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Hoja de datos

4,985Se espera el 19/06/2026

Cinta cortada

S/10.51

S/6.66

S/4.63

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

RS6N120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/15.10
2,500Se espera el 11/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS6N120BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6N120BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

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Hoja de datos

2,500Se espera el 11/11/2026

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.93

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

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