Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

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Resultados: 18

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
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RH6L040BGTB1

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755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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S/10.82

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.26
4,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RH6P040BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6P040BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/9.26

S/6.23

S/4.44

S/3.55

Envase tipo carrete

S/2.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

RS6L120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/16.85
3,129En existencias

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RS6L120BGTB1

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755-RS6L120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

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Cinta cortada

S/16.85

S/11.25

S/7.94

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.19

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

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104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A

RS6G120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/16.85
7,131En existencias

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RS6G120BGTB1

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755-RS6G120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A

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S/16.85

S/11.17

S/7.90

S/7.24

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S/6.11

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

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210 A

1.34 mOhms

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2.5 V

67 nC

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104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET

RS6R060BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.56
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RS6R060BHTB1

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755-RS6R060BHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET

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S/14.56

S/10.24

S/7.40

S/6.07

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Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

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1 Channel

150 V

60 A

21.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A

RS6R085CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/12.77
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Nuevo producto

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RS6R085CHTB1

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755-RS6R085CHTB1

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Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.16

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

13.9 mOhms

20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 270A HSOP8, Power MOSFET

RS6E120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.51
2,453En existencias
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RS6E120BGTB1

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755-RS6E120BGTB1

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S/13.51

S/8.80

S/6.73

S/5.64

S/4.90

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S/4.90

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SMD/SMT

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270 A

1.1 mOhms

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2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET

RS6G122CHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.99
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755-RS6G122CHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET

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S/11.99

S/7.79

S/5.72

S/4.79

S/4.16

Envase tipo carrete

S/4.16

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SMD/SMT

HSOP-8

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1 Channel

40 V

225 A

1.2 mOhms

20 V

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52 nC

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+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
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S/9.26

S/6.38

S/4.55

S/3.64

S/3.39

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S/3.39

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A

RS6G120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.70
2,500En existencias

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RS6G120BHTB1

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755-RS6G120BHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A

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S/13.70

S/7.90

S/6.27

S/5.45

S/5.22

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

HSOP-8

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1 Channel

40 V

210 A

1.38 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A

RS6L120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.78
2,440En existencias

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RS6L120BHTB1

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755-RS6L120BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A

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Cinta cortada

S/13.78

S/7.94

S/6.31

S/5.49

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.10

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

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+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN

RS6P060BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.69
4,015En existencias

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RS6P060BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6P060BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN

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S/9.69

S/7.20

S/5.53

S/4.44

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

RS6P100BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/13.27
1,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6P100BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6P100BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

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1,297En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/9.69

S/7.55

S/6.50

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

RS6G100BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.98
4,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6G100BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6G100BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

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4,780En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.53

S/4.24

S/3.43

S/3.29

Envase tipo carrete

S/3.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

RS6L090BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.46
987En existencias
2,500Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS6L090BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L090BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

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987En existencias

2,500Se espera el 18/06/2026

Cinta cortada

S/9.46

S/7.01

S/5.37

S/4.32

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN

RS6R035BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.93
4,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6R035BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6R035BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN

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Hoja de datos

4,888En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/7.40

S/5.68

S/4.59

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

35 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/10.20
5,985Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RH6G040BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

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Hoja de datos

5,985Se espera el 19/06/2026

Cinta cortada

S/10.20

S/6.50

S/4.44

S/3.70

S/3.26

Envase tipo carrete

S/3.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

RS6N120BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/14.21
2,500Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS6N120BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6N120BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

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2,500Se espera el 28/05/2026

Cinta cortada

S/14.21

S/9.26

S/7.24

S/6.07

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

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