Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

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Resultados: 11

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: S/19.19
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

966En existencias

Cinta cortada

S/19.19

S/12.73

S/9.07

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/20.36
2,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

S/20.36

S/13.55

S/9.69

S/9.26

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: S/15.53
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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Hoja de datos

207En existencias

S/15.53

S/9.26

S/7.36

S/5.68

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: S/17.40
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

77En existencias

S/17.40

S/8.91

S/7.86

S/6.62

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
1: S/14.99
61En existencias
150Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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Hoja de datos

61En existencias

150Se espera el 28/09/2026

S/14.99

S/7.71

S/6.23

S/5.57

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 Channel

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W,S1VE
Toshiba
1: S/26.12
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

74En existencias

S/26.12

S/18.45

S/12.77

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
1: S/25.03
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK16N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

17En existencias

S/25.03

S/14.21

S/11.79

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/24.99
73Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

73Se espera el 26/05/2026

S/24.99

S/14.56

S/12.03

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16G60W,RVQ
Toshiba
1: S/30.98
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/30.98

S/21.10

S/16.23

Envase tipo carrete

S/15.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/18.61
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/18.61

S/14.91

S/12.03

S/10.67

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

TK16V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/7.86
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/7.86

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

139 W

DTMOSIV

Reel

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

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