Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
Toshiba
1:
S/30.75
1,250 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9051FTG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
1,250 En existencias
1
S/30.75
10
S/23.82
25
S/22.07
100
S/20.16
250
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3,000
S/17.67
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S/19.27
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S/18.72
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S/18.26
3,000
S/17.67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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5,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5,662 En existencias
1
S/8.84
10
S/5.68
100
S/3.86
500
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2,000
S/2.54
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S/2.90
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S/2.53
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S/2.44
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/11.48
573 En existencias
2,000 Se espera el 14/05/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
573 En existencias
2,000 Se espera el 14/05/2026
1
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S/3.97
4,000
S/3.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1:
S/7.01
2,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,565 En existencias
1
S/7.01
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S/2.16
4,000
S/1.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.33
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
1
S/11.33
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