Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

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Resultados: 57

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/7.47
1,479Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A25DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A25DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

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1,479Se espera el 18/03/2026

Cinta cortada

S/7.47

S/4.75

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated
10,000: S/0.977
10,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A08E6TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A08E6TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

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10,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/0.977

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

100 V

1.9 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

ZXMN2A03E6TA
Diodes Incorporated
1: S/4.90
3,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2A03E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2A03E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

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3,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.90

S/3.07

S/2.03

S/1.58

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

20 V

4.6 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 18.4A

ZXMN3A04KTC
Diodes Incorporated
2,500: S/3.74
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A04KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 18.4A

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7,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/3.74

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

18.4 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36.8 nC

- 55 C

+ 150 C

10.1 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

ZXMN2088DE6TA
Diodes Incorporated
3,000: S/1.05
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2088DE6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2088DE6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

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Envase tipo carrete

S/1.05

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

2 Channel

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/5.06
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3G32DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3G32DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/5.06

S/3.14

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.52

S/1.34

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.1 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 60V

ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
2,500: S/3.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A09KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A09KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 60V

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.27

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

11.2 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.2 nC

- 55 C

+ 150 C

10.1 W

Enhancement

Reel

ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

800 mA
1.4 A
1.9 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.9 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
3.9 A
4 A
4.1 A

24 mOhms
25 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
80 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms

2.8 nC
2.9 nC
2.93 nC
3 nC
3.2 nC
3.5 nC
3.9 nC
4.8 nC
5 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
6.6 nC
6.7 nC
7.4 nC
7.7 nC
8.1 nC
8.2 nC
8.6 nC
9.2 nC

625 mW
806 mW
950 mW
970 mW
1 W
1.1 W
1.4 W
1.5 W
1.7 W
1.8 W
2 W
2.1 W
2.11 W
2.15 W
2.6 W
3 W
3.9 W
4.13 W
4.3 W
8.5 W