Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.52
314,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/1.52

S/0.942

S/0.755

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.646

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.37
61,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ500AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.7 mOhms, 22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38.3 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.52
145,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1539EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/1.52

S/0.942

S/0.755

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.646

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
39,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ570EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.76

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

15 A, 9.5 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9 nC, 12 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

SQJ504EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
3,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ504EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

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Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.36

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.5 mOhms, 17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 2.5 V

30 nC, 85 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.00
8,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3585EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/13.00

S/8.99

S/7.67

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

3.57 A, 2.5 A

49 mOhms, 140 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV, 1.5 V

2.5 nC, 3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4532AEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.00
17,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4532AEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4532AEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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17,127En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.93

S/1.58

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 5.3 A

21 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.9 nC, 7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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