Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

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Resultados: 130

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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12,000: S/0.218
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PJA3401A_R2_00001

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Envase tipo carrete

S/0.218

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3401_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.327
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N.º de artículo del Fabricante
PJA3401_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3401_R2_00001

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Envase tipo carrete

S/0.327

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

72 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
1: S/1.13
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241-PJA3402AUR1000A1

Panjit

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Cinta cortada

S/1.13

S/0.693

S/0.436

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.374

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

11.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3402_R2_00001
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Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

11.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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12,000: S/0.28
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N.º de artículo de Mouser
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Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
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Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.1 A

98 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
12,000: S/0.187
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PJA3404A_R2_00001

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241-PJA3404AR200001

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Envase tipo carrete

S/0.187

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.6 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3404_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.218
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PJA3404_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3404_R2_00001

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Envase tipo carrete

S/0.218

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

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7.8 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
12,000: S/0.269
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PJA3405-AU_R2_000A1

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Envase tipo carrete

S/0.269

Min.: 12,000
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3405_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.327
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PJA3405_R2_00001

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Envase tipo carrete

S/0.327

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3406_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.28
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PJA3406_R2_00001

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S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3409-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.05
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PJA3409-AU_R1_000A1

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Cinta cortada

S/1.05

S/0.65

S/0.405

S/0.30

Envase tipo carrete

S/0.218

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.9 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3411-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/0.973
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

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PJA3411-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3411AUR1000A1

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Cinta cortada

S/0.973

S/0.599

S/0.378

S/0.276

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3411-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.234
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3411-AU_R2_000A1

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241-PJA3411AUR2000A1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

S/0.234

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3411_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3411_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3411_R2_00001

Panjit

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Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3412-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.296
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3412-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3412AUR2000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

S/0.296

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3412_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3412_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3412_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3413_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3413_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3413_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.4 A

82 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3414_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3414_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3414_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.2 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3415AE-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.389
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3415AE-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3415AEAUR2000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.389

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected

PJA3415AE_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.304
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3415AE_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3415AER200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected

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Envase tipo carrete

S/0.304

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

50 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
12,000: S/0.327
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3415A_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3415AR200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

S/0.327

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3415_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.183
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3415_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3415_R2_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.183

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

57 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3416AE_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.284
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3416AE_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3416AER200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.284

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

8.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3416-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.32
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3416-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3416AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/1.32

S/0.814

S/0.514

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.8 A

27 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3416_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.327
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3416_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3416_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.327

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.8 A

27 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

300 mA
750 mA
1.1 A
1.2 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.6 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.4 A
4.5 A

2.4 mOhms
4.5 mOhms
9 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
29.81 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.8 nC
4.1 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.1 nC
6.7 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC