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NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 10.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C645NT1G

Fabricante N.º:

NVMFS5C645NT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 92A, 4.6mohm

Hoja de datos:

NVMFS5C645NT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/10.32	S/10.32
	S/8.72	S/4,360.00
	S/4.98	S/4,980.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/3.30	S/4,950.00
	S/3.03	S/9,090.00
	S/2.92	S/26,280.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	92 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	20.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	79 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	36.3 ns
Serie:	NVMFS5C645N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.2 ns

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Hoja de datos

NVMFS5C645NT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS5C645N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFS5C645N Single N-Channel Power MOSFETs features a 92A continuous drain current, 4.6mΩ at 10V R_DS(ON), and 60V drain-to-source voltage. The NVMFS5C645N is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101 qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.