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NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 60.61 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL060N065SC1

Fabricante N.º:

NVHL060N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:

NVHL060N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/60.61	S/60.61
	S/42.78	S/427.80
	S/36.43	S/4,371.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	47 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	74 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	176 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	32 ns
Serie:	NVHL060N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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Hoja de datos

NVHL060N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET

onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET is a 650V, 60mΩ (typ), and 47A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET uses a completely new technology that provides superior switching performance and high reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. The NVHL060N065SC1 power MOSFET offers high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. This MOSFET is AEC-Q101 qualified and is PPAP-capable. Typical applications include automotive onboard chargers and automotive DC/DC converters for Electric Vehicles (EV).