Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ023N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
3,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ023N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ023N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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3,940En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.50

S/6.66

S/5.57

Ver

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

149 A

2.3 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ072N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
3,951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ072N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ072N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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3,951En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.63

S/3.06

S/2.43

Envase tipo carrete

S/1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

20 V

3.3 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.12
3,412En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC008N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC008N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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3,412En existencias

Cinta cortada

S/23.12

S/15.14

S/11.29

S/9.46

Ver

Envase tipo carrete

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

378 A

800 uOhms

20 V

2.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC025N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
3,951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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3,951En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.57

S/4.63

Ver

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

143 A

2.5 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.46
4,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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4,204En existencias

Cinta cortada

S/25.46

S/16.66

S/12.26

S/10.90

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.59
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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Hoja de datos

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/26.59

S/17.79

S/14.32

S/12.73

S/11.29

Envase tipo carrete

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.99
4,000Se espera el 27/08/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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4,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/27.99

S/18.33

S/13.51

S/12.03

S/10.67

Envase tipo carrete

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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