NCV8406DD1CR2G
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE SMARTFET
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
En pedido:
-
2,475Se espera el 9/06/2026
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/5.02 | S/5.02 | |
| S/3.31 | S/33.10 | |
| S/2.75 | S/275.00 | |
| S/2.64 | S/1,320.00 | |
| S/2.59 | S/2,590.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| S/2.43 | S/6,075.00 | |
Hoja de datos
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- República Checa
- País de origen del ensamblaje:
- Filipinas
- País de difusión:
- República Checa
Perú
