NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo de vida:
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2,475
Se espera el 9/06/2026
Plazo de entrega de fábrica:
17
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/5.02 S/5.02
S/3.31 S/33.10
S/2.75 S/275.00
S/2.64 S/1,320.00
S/2.59 S/2,590.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/2.43 S/6,075.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 692 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 486 ns
Serie: NCV8406DD1CR2G
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 1600 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 127 ns
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República Checa
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
República Checa
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Controlador de baja tensión con doble autoprotección NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.