NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo de vida:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 692 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 486 ns
Serie: NCV8406DD1CR2G
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 1600 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 127 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
República Checa
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Controlador de baja tensión con doble autoprotección NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

En existencias: 2,475

Existencias:
2,475
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En pedido:
5,000
Plazo de entrega de fábrica:
44
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 680
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
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Precio (PEN)

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