Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

IRFR320PBF-BE3
Vishay Semiconductors
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IRFR320PBF-BE3

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78-IRFR320PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET

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Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET

IRFR9210PBF-BE3
Vishay Semiconductors
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IRFR9210PBF-BE3

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78-IRFR9210PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET

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Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

IRLR110TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

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4.3 A

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1 V

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+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.1A

SI2323DDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7121ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

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18 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

33 nC

- 50 C

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27.8 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SI7149ADP-T1-GE3
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PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8483DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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1 Channel

12 V

16 A

22 mOhms

- 10 V, 10 V

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13 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8817DB-T2-E1
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SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

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2.9 A

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- 8 V, 8 V

1 V

19 nC

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+ 150 C

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Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SIR401DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIR401DP-T1-GE3

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50 A

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1.5 V

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Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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SIRA01DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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78-SIRA01DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

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PowerPAK-SO-8

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60 A

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2.2 V

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62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

SIRA99DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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2,849En existencias
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SIRA99DP-T1-GE3

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78-SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

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195 A

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- 20 V, 16 V

1 V

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104 W

Enhancement

PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS413DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIS413DN-T1-GE3

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78-SIS413DN-T1-GE3

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S/0.903

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9.4 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

SISA35DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.57
32,285En existencias

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SISA35DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA35DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

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S/0.596

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS27DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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6,039En existencias

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SISS27DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS27DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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S/2.63

S/1.98

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S/1.21

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

SI3477DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3477DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3477DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

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S/2.75

S/1.81

S/1.40

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S/1.02

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

17.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SIA921EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA921EDJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.89

S/2.43

S/1.58

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S/0.95

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

48 mOhms, 48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 50A

SUD50P06-15L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/13.12
7,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD50P06-15L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD50P06-15L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 50A

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S/8.56

S/5.99

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.20

S/4.16

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V

SUP53P06-20-E3
Vishay Semiconductors
1: S/14.91
2,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP53P06-20-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP53P06-20-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V

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S/6.15

S/5.88

S/5.76

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Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

60 V

53 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA449DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.72
5,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA449DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA449DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/2.72

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S/1.10

S/0.841

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S/0.646

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SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

15.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

SIS415DNT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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542En existencias
3,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS415DNT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS415DNT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

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542En existencias

3,000Se espera el 23/03/2026

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S/4.67

S/2.92

S/1.92

S/1.49

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S/1.15

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

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- 12 V, 12 V

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180 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
4,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS435DNT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

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S/2.35

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

30 A

4.4 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

180 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJB02ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
943En existencias
3,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB02ELP-T1_GE3

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78-SQJB02ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.69

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70040E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.73
737En existencias

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SUP70040E-GE3

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78-SUP70040E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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S/15.73

S/10.35

S/7.28

S/6.93

S/5.33

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6

SI1401EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.57
7,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1401EDH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI1401EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/1.58

S/1.02

S/0.775

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S/0.592

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs SC70-6

SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.08
2,654En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI1441EDH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI1441EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.724

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W