Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.41
68,548En existencias

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SI7997DP-T1-GE3

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781-SI7997DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/11.41

S/7.40

S/5.14

S/4.24

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S/4.09

S/3.71

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A

SI2333DDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.57
32,274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2333DDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2333DDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5A

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S/2.57

S/1.60

S/1.02

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.529

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

6 A

23 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2347DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.71
97,463En existencias
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SI2347DS-T1-GE3

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78-SI2347DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

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S/0.366

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7113ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
35,745En existencias

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SI7113ADN-T1-GE3

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78-SI7113ADN-T1-GE3

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S/3.54

S/2.25

S/1.46

S/1.12

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S/0.779

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

100 V

10.8 A

132 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

10.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.14
8,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7157DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7157DP-T1-GE3

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S/8.14

S/5.22

S/3.52

S/2.80

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S/2.27

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

415 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.46
21,826En existencias
12,000Se espera el 16/02/2026

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SI7615ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7615ADN-T1-GE3

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S/3.46

S/2.64

S/1.81

S/1.40

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S/1.10

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

35 A

4.4 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8487DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
8,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8487DB-T1-E1

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78-SI8487DB-T1-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

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S/0.895

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

30 V

7.7 A

25 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA447DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
29,336En existencias

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SIA447DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA447DJ-T1-GE3

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S/2.88

S/1.76

S/1.15

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.673

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

12 V

12 A

11 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

80 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA483DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
88,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA483DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA483DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

SIA923AEDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
12,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA923AEDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA923AEDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.22

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
11,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA929DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA929DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.93

S/2.40

S/1.57

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

52 mOhms, 52 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.00
2,198En existencias
5,050Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR570DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

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S/10.00

S/7.79

S/5.06

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.88

Presupuesto

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS903DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
10,229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS903DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS903DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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10,229En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.52

S/2.39

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

20 V

6 A

20.1 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA01DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.94
10,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA01DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA01DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

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10,793En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.17

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.9 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS23DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
18,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS23DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS23DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

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18,198En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.05

S/2.02

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.24

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

50 A

3.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

300 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
8,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS27ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS27ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Cinta cortada

S/5.29

S/3.33

S/2.20

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS67DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
7,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS67DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS67DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8S

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7,264En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQ4946CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
20,910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4946CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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20,910En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.51

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.60

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7 A

82.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14.3 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJB44EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.25
2,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB44EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB44EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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Hoja de datos

2,728En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.58

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
1,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

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78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4497DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.20
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SI4497DY-T1-GE3

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781-SI4497DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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SOIC-8

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1 Channel

30 V

36 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

285 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

SUD35N10-26P-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.33
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SUD35N10-26P-GE3

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781-SUD35N10-26P-GE3

Vishay Semiconductors

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35 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 40A 100W

SUD40N08-16-E3
Vishay / Siliconix
1: S/13.08
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SUD40N08-16-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD40N08-16-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 40A 100W

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

80 V

40 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET

SUP85N10-10-E3
Vishay Semiconductors
1: S/19.31
497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP85N10-10-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP85N10-10-E3

Vishay Semiconductors

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TO-220-3

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8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

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160 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

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TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 85A 300W 21mohm @ 10V

SUP85N15-21-E3
Vishay Semiconductors
1: S/23.82
1,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP85N15-21-E3

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781-SUP85N15-21-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 85A 300W 21mohm @ 10V

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W