Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SIA112LDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.55
5,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA112LDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA112LDJ

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

100 V

8.8 A

119 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK155N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.42
3,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK155N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK155N60E

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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3,920En existencias

Cinta cortada

S/25.42

S/17.09

S/12.34

S/11.41

S/10.67

Envase tipo carrete

S/10.67

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK155N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.77
3,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK155N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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S/25.77

S/17.32

S/12.49

S/11.64

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.86

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SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SIJ4108DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.20
10,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ4108DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ4108DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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S/10.20

S/6.58

S/4.52

S/3.59

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.09

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

56.7 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34.5 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A

SI2318CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.02
65,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2318CDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2318CDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A

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S/2.02

S/1.23

S/0.786

S/0.588

S/0.525

Envase tipo carrete

S/0.44

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

5.6 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A

SI2371EDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.95
106,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2371EDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2371EDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A

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S/1.95

S/1.21

S/0.763

S/0.572

Envase tipo carrete

S/0.409

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.8 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.29
11,025En existencias
69,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7149ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.29

S/5.22

S/3.42

S/2.71

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.20

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8483DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/4.44
29,454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8483DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8483DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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S/4.44

S/2.41

S/1.69

S/1.41

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S/1.06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

12 V

16 A

22 mOhms

- 10 V, 10 V

800 mV

65 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

SIR510DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.31
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR510DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR510DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

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S/13.31

S/8.68

S/6.03

S/4.87

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

126 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS413DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.90
23,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS413DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS413DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/4.90

S/3.09

S/2.03

S/1.58

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9.4 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

SISA35DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.04
39,139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA35DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA35DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

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S/3.04

S/1.38

S/1.21

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.708

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH129DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.03
7,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH129DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH129DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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7,051En existencias

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S/6.03

S/3.81

S/2.53

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

71 nC

- 50 C

+ 150 C

52.1 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5471DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.98
38,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5471DC-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5471DC-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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38,726En existencias

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S/4.98

S/3.16

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.29

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

16.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

6.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7141DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.73
9,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7141DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7141DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.63

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

265 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
26,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA921EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA921EDJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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26,660En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.87

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

48 mOhms, 48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
7,688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA975DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA975DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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Hoja de datos

7,688En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.85

S/1.87

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

33 mOhms, 33 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V

SUP53P06-20-E3
Vishay Semiconductors
1: S/17.24
2,310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP53P06-20-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP53P06-20-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V

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Hoja de datos

2,310En existencias

S/17.24

S/9.23

S/7.67

S/6.66

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

60 V

53 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 57A 300W

SUP57N20-33-E3
Vishay Semiconductors
1: S/24.68
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP57N20-33-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP57N20-33-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 57A 300W

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Hoja de datos

1,570En existencias

S/24.68

S/13.08

S/11.29

S/9.89

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

57 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1077X-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
5,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1077X-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1077X-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

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Hoja de datos

5,957En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.10

S/0.837

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.638

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

P-Channel

1 Channel

20 V

1.75 A

65 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

330 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

SIA445EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.50
3,772En existencias
63,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIA445EDJT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA445EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Obtenga más información

Hoja de datos

3,772En existencias

63,000En pedido

Cinta cortada

S/3.50

S/2.18

S/1.41

S/1.08

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.712

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

12 A

13.8 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

SIA477EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.46
9,875En existencias
6,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIA477EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

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9,875En existencias

6,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.40

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

12 V

12 A

11.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
1,527En existencias
3,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIS435DNT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

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1,527En existencias

3,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/5.57

S/3.49

S/2.31

S/1.80

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

20 V

30 A

4.4 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

180 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJB02ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
841En existencias
6,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB02ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB02ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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841En existencias

6,000Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.87

S/2.26

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

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Hoja de datos

888En existencias

S/16.85

S/11.09

S/8.45

S/7.08

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70090E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70090E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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Hoja de datos

497En existencias

S/16.85

S/8.60

S/7.82

S/6.38

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V
4 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC
14.8 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W
6.5 W