Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60-V D-S

SUD50P06-15L-T4-E3
Vishay Semiconductors
1: S/15.34
8,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD50P06-15L-T4-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD50P06-15L-T4E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60-V D-S

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S/15.34

S/10.08

S/7.08

S/6.34

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S/5.33

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Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

SIA445EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
52,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA445EDJT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA445EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

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Cinta cortada

S/2.88

S/1.78

S/1.16

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.681

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

12 A

13.8 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 9.1A

SUD23N06-31L-T4BE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.92
25,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31L-T4BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N0631L-T4BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 9.1A

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Cinta cortada

S/5.92

S/3.75

S/2.50

S/1.96

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S/1.49

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A

SUM40014M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.28
4,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM40014M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM40014M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A

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S/17.28

S/11.44

S/8.10

S/8.06

Envase tipo carrete

S/6.73

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Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

990 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

182 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
80,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB457EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIB457EDK-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

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S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

P-Channel

1 Channel

20 V

9 A

29 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 12V 4A

SI1401EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/0.934
53,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1401EDH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1401EDH-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 12V 4A

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Cinta cortada

S/0.934

S/0.833

S/0.825

S/0.763

Envase tipo carrete

S/0.483

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4 A

34 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

SI2365EDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.63
52,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2365EDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2365EDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.5A

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S/1.63

S/1.00

S/0.631

S/0.479

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.237

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

26.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A

SI2371EDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.71
113,123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2371EDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2371EDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 3.7A

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Cinta cortada

S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.304

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.8 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SIA477EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.80
62,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA477EDJT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA477EDJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

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Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.14

S/0.868

Envase tipo carrete

S/0.666

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

12 V

12 A

11 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SISH617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.25
16,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH617DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH617DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/5.25

S/3.30

S/2.19

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

12.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
12,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA975DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA975DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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12,185En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.907

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

33 mOhms, 33 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

SIB441EDK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.72
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB441EDK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIB441EDK-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

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6,000En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.646

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

P-Channel

1 Channel

12 V

9 A

21 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

33 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70090E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70090E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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640En existencias

S/15.73

S/8.06

S/7.28

S/6.93

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220

SUP40010EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.38
663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP40010EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP40010ELGE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TO-220

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663En existencias

S/15.38

S/7.86

S/7.55

S/6.73

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

230 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3473DDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.45
7,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3473DDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3473DDV-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

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7,293En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.51

S/0.965

S/0.728

Envase tipo carrete

S/0.506

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

38.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8489EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
8,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8489EDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8489EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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Hoja de datos

8,882En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.71

S/1.13

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.553

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

5.4 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V

SUP85N10-10-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/27.99
335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP85N10-10-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SUP85N10-10-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V

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Hoja de datos

335En existencias

S/27.99

S/15.06

S/13.78

S/11.60

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V (D-S)

SUD23N06-31-T4-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
2,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD23N06-31-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD23N06-31-T4GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V (D-S)

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Hoja de datos

2,355En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

21.4 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

31.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V

SIRA60DP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.03
5,870En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA60DP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA60DP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V

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Hoja de datos

5,870En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.76

S/4.01

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

940 uOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHH150N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.46
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH150N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH150N60E

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

S/22.46

S/16.19

S/11.68

S/11.64

S/10.98

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Powerpack-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHH155N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.65
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N.º de artículo del Fabricante
SIHH155N60EF-T1GE3

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78-SIHH155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Cinta cortada

S/22.65

S/16.19

S/11.68

S/11.64

S/11.02

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN

SIR5108DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.68
8,378En existencias

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SIR5108DP-T1-RE3

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78-SIR5108DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.72

S/3.93

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

55.9 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V

SiRS4401DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.23
4,852En existencias

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SiRS4401DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4401DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V

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4,852En existencias

S/16.23

S/10.94

S/7.75

S/7.05

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8S

P-Channel

1 Channel

40 V

198 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

392 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

SiSS5623DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.50
4,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiSS5623DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS5623DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

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4,929En existencias

S/9.50

S/6.23

S/4.28

S/3.41

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

P-Channel

1 Channel

60 V

36.2 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

21.8 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.21
8,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

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S/8.21

S/5.25

S/3.57

S/2.84

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W