Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Resultados: 168

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SI2392BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.74
38,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392BDS

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

38,690En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/1.16

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN

SIR5108DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
9,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5108DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5108DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN

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Hoja de datos

9,904En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

55.9 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

SiRS4302DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.18
5,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiRS4302DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4302DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

5,675En existencias

S/15.18

S/9.96

S/6.97

S/5.72

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

478 A

570 uOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ185ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.49
19,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ185ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ185ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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19,159En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.66

S/2.91

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

80 V

62 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

145 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQ4946CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
40,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4946CEY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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Hoja de datos

40,218En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7 A

82.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14.3 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7145DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.62
48,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7145DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7145DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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48,928En existencias

Cinta cortada

S/16.62

S/10.94

S/7.71

S/6.46

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

275 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

Si4190BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.07
2,905En existencias

N.º de artículo del Fabricante
Si4190BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4190BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

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2,905En existencias

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

17 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

8.4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHA155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.23
2,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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2,228En existencias

S/19.23

S/12.73

S/9.03

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHG155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.62
769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

769En existencias

S/22.62

S/15.06

S/10.82

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHH150N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.81
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH150N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH150N60E

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

S/25.81

S/17.32

S/12.49

S/11.64

S/10.74

Envase tipo carrete

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Powerpack-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHH155N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.81
5,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH155N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

5,678En existencias

Cinta cortada

S/25.81

S/17.32

S/12.49

S/11.64

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHP155N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.66
1,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP155N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP155N60EF

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

1,822En existencias

S/19.66

S/13.04

S/9.26

S/7.63

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

136 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

SiR5112DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.55
3,942En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiR5112DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5112DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,942En existencias

Cinta cortada

S/10.55

S/6.81

S/4.67

S/3.73

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40.7 A

14.9 mOhms

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

SiR5623DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.16
6,756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiR5623DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5623DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

6,756En existencias

S/10.16

S/6.54

S/4.48

S/3.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

60 V

37.1 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

21.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SIR5808DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.45
11,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR5808DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5808DP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

11,453En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.37

S/3.61

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66.8 A

7.35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V

SIRA60DP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.23
5,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA60DP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA60DP-T1-UE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V

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Hoja de datos

5,867En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.20

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

940 uOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V

SiRS4301DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.49
5,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SiRS4301DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4301DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,678En existencias

Cinta cortada

S/18.49

S/12.22

S/8.64

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK - SO-8S

P-Channel

1 Channel

30 V

227 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

365 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V

SiRS4401DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.75
916En existencias
6,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SiRS4401DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS4401DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V

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Hoja de datos

916En existencias

6,000Se espera el 6/08/2026

S/17.75

S/11.72

S/8.29

S/7.05

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8S

P-Channel

1 Channel

40 V

198 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

392 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SISH103DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
9,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH103DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH103DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

9,856En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.46

S/2.29

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

54 A

8.9 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SISH107DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.79
8,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH107DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH107DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

8,888En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.01

S/1.98

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

34.4 A

14 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

27.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V

SiSS4402DN-T1-GE3
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SiSS4402DN-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

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S/6.46

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SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.5 V

46.7 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SISS5108DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SISS5108DN-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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S/4.67

S/3.73

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

55.9 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

SiSS5623DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.35
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SiSS5623DN-T1-GE3

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78-SISS5623DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V

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S/6.66

S/4.55

S/3.65

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Min.: 1
Mult.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK 1212-8S

P-Channel

1 Channel

60 V

36.2 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

21.8 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SISS5808DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.15
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SISS5808DN-T1-GE3

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78-SISS5808DN

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

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S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.18

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66.4 A

7.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.6 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2347DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
161,463En existencias

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SI2347DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2347DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

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Envase tipo carrete

S/0.545

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V
4 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC
14.8 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W
6.5 W